杭州电子科技大学学报
杭州電子科技大學學報
항주전자과기대학학보
JOURNAL OF HANGZHOU DIANZI UNIVERSITY
2013年
6期
1-4
,共4页
王岗%孙玲玲%文进才
王崗%孫玲玲%文進纔
왕강%손령령%문진재
毫米波单片集成电路%砷化镓%功率放大器%变异高电子迁移率晶体管
毫米波單片集成電路%砷化鎵%功率放大器%變異高電子遷移率晶體管
호미파단편집성전로%신화가%공솔방대기%변이고전자천이솔정체관
monolithic microwave integrated circuit%gallium arsenide%power amplifier%metamorphic high electron mobility transistor
该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法，设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器，该放大器采用共源结构，单级放大，工作电压为1．2 V，工作电流为27 mA，在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB，60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。
該文探討瞭60 GHz 功率放大器的設計方法，設計併測試瞭基于0．07μm GaAs 工藝的60 GHz毫米波單片功率放大器，該放大器採用共源結構，單級放大，工作電壓為1．2 V，工作電流為27 mA，在62．2 GHz 時有最大小信號增益4．9 dB，60 GHz 時倣真的輸齣1 dB 壓縮點功率為12 dBm。
해문탐토료60 GHz 공솔방대기적설계방법，설계병측시료기우0．07μm GaAs 공예적60 GHz호미파단편공솔방대기，해방대기채용공원결구，단급방대，공작전압위1．2 V，공작전류위27 mA，재62．2 GHz 시유최대소신호증익4．9 dB，60 GHz 시방진적수출1 dB 압축점공솔위12 dBm。
The 60 GHz power amplifier design method is explored and a 60 GHz millimeter-wave monolithic power amplifier is designed and measured with 0.07μm GaAs mHEMT process.The one stage amplifier uses common-source structure .It operates under a 1.2V power supply and 26mA DC bias.A 4.9 dB maximum small signal gain is achieved at 62.2 GHz, and simulated output power at 1 dB compression point is 12 dBm at 60 GHz.
