传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2013年
12期
6-9
,共4页
刘冰%穆继亮%陈东红%丑修建%郭涛%熊继军
劉冰%穆繼亮%陳東紅%醜脩建%郭濤%熊繼軍
류빙%목계량%진동홍%축수건%곽도%웅계군
高介电常数%栅介质%掺杂%制备技术
高介電常數%柵介質%摻雜%製備技術
고개전상수%책개질%참잡%제비기술
high dielectric constant%gate dielectric%doping%preparation techniques
随着半导体器件特征尺寸的不断减小,传统SiO2栅介质减薄到1 nm以下时会导致栅极漏电流增大、器件可靠性下降等诸多问题,已无法满足CMOS技术长远发展要求.因此,寻求替代SiO2的新型栅介质材料,减少器件的隧穿电流,提升可靠性成为CMOS技术的发展方向.如何制备化学性质稳定、性能优异的栅介质薄膜成为高k栅介质材料亟待解决的问题.论述了理想高k栅介质材料的基本要求,重点介绍了高k栅介质材料制备技术的研究进展,并分析指出了高k栅介质材料制备技术的未来发展趋势.
隨著半導體器件特徵呎吋的不斷減小,傳統SiO2柵介質減薄到1 nm以下時會導緻柵極漏電流增大、器件可靠性下降等諸多問題,已無法滿足CMOS技術長遠髮展要求.因此,尋求替代SiO2的新型柵介質材料,減少器件的隧穿電流,提升可靠性成為CMOS技術的髮展方嚮.如何製備化學性質穩定、性能優異的柵介質薄膜成為高k柵介質材料亟待解決的問題.論述瞭理想高k柵介質材料的基本要求,重點介紹瞭高k柵介質材料製備技術的研究進展,併分析指齣瞭高k柵介質材料製備技術的未來髮展趨勢.
수착반도체기건특정척촌적불단감소,전통SiO2책개질감박도1 nm이하시회도치책겁루전류증대、기건가고성하강등제다문제,이무법만족CMOS기술장원발전요구.인차,심구체대SiO2적신형책개질재료,감소기건적수천전류,제승가고성성위CMOS기술적발전방향.여하제비화학성질은정、성능우이적책개질박막성위고k책개질재료극대해결적문제.논술료이상고k책개질재료적기본요구,중점개소료고k책개질재료제비기술적연구진전,병분석지출료고k책개질재료제비기술적미래발전추세.
