电子科技
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전자과기
IT AGE
2014年
2期
109-111,137
,共4页
郑雷%徐晨%孙捷%许坤%陈茂兴%葛海亮
鄭雷%徐晨%孫捷%許坤%陳茂興%葛海亮
정뢰%서신%손첩%허곤%진무흥%갈해량
石墨烯%Ni/Au%透明导电层%GaN LED
石墨烯%Ni/Au%透明導電層%GaN LED
석묵희%Ni/Au%투명도전층%GaN LED
通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势.研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系.结果表明,在1.5nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1nm/0.5nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,石墨烯/NiAu复合透明导电层可以明显地降低GaN LED的工作电压,同时在蓝光波段具有很高的透光率,因而提高了GaN LED的发光性能.
通過濺射方法製備Ni/Au層,用作石墨烯和p型GaN之間的插入層來減小接觸電勢.研究瞭Ni和Au的厚度比與GaN LED性能的關繫.結果錶明,在1.5nm總厚度的條件下,Ni與Au厚度比為1nm/0.5nm時為最佳,可同時兼顧透光性能和良好歐姆接觸,此時,石墨烯/NiAu複閤透明導電層可以明顯地降低GaN LED的工作電壓,同時在藍光波段具有很高的透光率,因而提高瞭GaN LED的髮光性能.
통과천사방법제비Ni/Au층,용작석묵희화p형GaN지간적삽입층래감소접촉전세.연구료Ni화Au적후도비여GaN LED성능적관계.결과표명,재1.5nm총후도적조건하,Ni여Au후도비위1nm/0.5nm시위최가,가동시겸고투광성능화량호구모접촉,차시,석묵희/NiAu복합투명도전층가이명현지강저GaN LED적공작전압,동시재람광파단구유흔고적투광솔,인이제고료GaN LED적발광성능.
