铜业工程
銅業工程
동업공정
COPPER ENGINEERING
2013年
6期
1-3,14
,共4页
张恩磊%王国胜%张本贵%王祝敏%张翔
張恩磊%王國勝%張本貴%王祝敏%張翔
장은뢰%왕국성%장본귀%왕축민%장상
SiC%纳米线%热蒸发%异质结构%光致发光
SiC%納米線%熱蒸髮%異質結構%光緻髮光
SiC%납미선%열증발%이질결구%광치발광
采用热蒸发法,以SiO与活性碳混合粉末为原料在1400℃的条件下制备出SiC纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)及X-射线衍射分析(XRD)等手段对制备的SiC纳米线进行了表征及生长机理分析.研究表明:SiC纳米线表面光滑、平直,沿[111]方向生长,直径为30～60nm,长约数十微米,内部为约数十纳米的SiC晶体层外部约为2nm的SiO2层的异质机构.SiO作为硅源时的SiC纳米线产量高于其他硅源.最后通过光致发光(PL)光谱研究了SiC纳米线的PL特性.
採用熱蒸髮法,以SiO與活性碳混閤粉末為原料在1400℃的條件下製備齣SiC納米線.通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、能譜儀(EDS)及X-射線衍射分析(XRD)等手段對製備的SiC納米線進行瞭錶徵及生長機理分析.研究錶明:SiC納米線錶麵光滑、平直,沿[111]方嚮生長,直徑為30～60nm,長約數十微米,內部為約數十納米的SiC晶體層外部約為2nm的SiO2層的異質機構.SiO作為硅源時的SiC納米線產量高于其他硅源.最後通過光緻髮光(PL)光譜研究瞭SiC納米線的PL特性.
채용열증발법,이SiO여활성탄혼합분말위원료재1400℃적조건하제비출SiC납미선.통과소묘전자현미경(SEM)、투사전자현미경(TEM)、능보의(EDS)급X-사선연사분석(XRD)등수단대제비적SiC납미선진행료표정급생장궤리분석.연구표명:SiC납미선표면광활、평직,연[111]방향생장,직경위30～60nm,장약수십미미,내부위약수십납미적SiC정체층외부약위2nm적SiO2층적이질궤구.SiO작위규원시적SiC납미선산량고우기타규원.최후통과광치발광(PL)광보연구료SiC납미선적PL특성.
