液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2013年
6期
860-867
,共8页
张定涛%李文彬%姚立红%郑云友%李伟%宋泳珍%袁明%张光明
張定濤%李文彬%姚立紅%鄭雲友%李偉%宋泳珍%袁明%張光明
장정도%리문빈%요립홍%정운우%리위%송영진%원명%장광명
色斑%薄膜晶体管%非晶硅%缺陷分析
色斑%薄膜晶體管%非晶硅%缺陷分析
색반%박막정체관%비정규%결함분석
Mura%thin film transistor%amorphous silicon%defect analysis
为解决116.8 cm(46 in)广视角边缘场切换技术4mask面板生产中的阵列工艺中,发生的一种网点色斑缺陷,应用扫描电子显微镜、聚焦离子束、能谱仪、宏观微观观测仪和线宽测量仪等检测设备进行Mura及其结晶物成份分析,比较了TFT膜厚;进行了GI和PVX膜玻璃正反面1％HF酸腐蚀试验、下部电极温度升高10℃试验、工艺ash、n+刻蚀的后处理步骤和有源层BT试验.研究了沟道n+掺杂a-Si层的厚度对于Mura的影响.确定了Mura的发生源和影响因素,结果发现Mura形成机理,一为基板背部划伤,二为接触和不接触电极区域的温差异,三是刻蚀反应的生成物在有源层工艺黏附在基板背部,之后经过多层膜沉积、湿刻和干刻、剥离工艺后促使缺陷进一步放大.最后采用平板粗糙面下部电极、控制剩余a-Si厚度和升高温度的方法,消除了网点Mura,并使得整体Mura发生率降为0.08％.
為解決116.8 cm(46 in)廣視角邊緣場切換技術4mask麵闆生產中的陣列工藝中,髮生的一種網點色斑缺陷,應用掃描電子顯微鏡、聚焦離子束、能譜儀、宏觀微觀觀測儀和線寬測量儀等檢測設備進行Mura及其結晶物成份分析,比較瞭TFT膜厚;進行瞭GI和PVX膜玻璃正反麵1％HF痠腐蝕試驗、下部電極溫度升高10℃試驗、工藝ash、n+刻蝕的後處理步驟和有源層BT試驗.研究瞭溝道n+摻雜a-Si層的厚度對于Mura的影響.確定瞭Mura的髮生源和影響因素,結果髮現Mura形成機理,一為基闆揹部劃傷,二為接觸和不接觸電極區域的溫差異,三是刻蝕反應的生成物在有源層工藝黏附在基闆揹部,之後經過多層膜沉積、濕刻和榦刻、剝離工藝後促使缺陷進一步放大.最後採用平闆粗糙麵下部電極、控製剩餘a-Si厚度和升高溫度的方法,消除瞭網點Mura,併使得整體Mura髮生率降為0.08％.
위해결116.8 cm(46 in)엄시각변연장절환기술4mask면판생산중적진렬공예중,발생적일충망점색반결함,응용소묘전자현미경、취초리자속、능보의、굉관미관관측의화선관측량의등검측설비진행Mura급기결정물성빈분석,비교료TFT막후;진행료GI화PVX막파리정반면1％HF산부식시험、하부전겁온도승고10℃시험、공예ash、n+각식적후처리보취화유원층BT시험.연구료구도n+참잡a-Si층적후도대우Mura적영향.학정료Mura적발생원화영향인소,결과발현Mura형성궤리,일위기판배부화상,이위접촉화불접촉전겁구역적온차이,삼시각식반응적생성물재유원층공예점부재기판배부,지후경과다층막침적、습각화간각、박리공예후촉사결함진일보방대.최후채용평판조조면하부전겁、공제잉여a-Si후도화승고온도적방법,소제료망점Mura,병사득정체Mura발생솔강위0.08％.
