液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2013年
6期
849-854
,共6页
田宗民%陈旭%谢振宇%张金中%张文余%崔子巍%郭建%闵泰烨
田宗民%陳旭%謝振宇%張金中%張文餘%崔子巍%郭建%閔泰燁
전종민%진욱%사진우%장금중%장문여%최자외%곽건%민태엽
栅极绝缘层%有源层%沉积条件优化%电学特性%改善
柵極絕緣層%有源層%沉積條件優化%電學特性%改善
책겁절연층%유원층%침적조건우화%전학특성%개선
gate insulating layer%active layer%deposition conditions optimization%electrical characteristics%improvement
对低速沉积的栅极绝缘层和低速沉积的有源层的薄膜沉积条件进行了优化,设定4个实验条件,考察了不同条件下膜层的均匀性,TFT产品的开路电流(I.n)的整体分布规律以及均匀性,Ion的提升比例以及产品的阈值电压,确定条件二为最优条件.对比优化前后产品的栅极偏应力下TFT的转移曲线和高频信号下电容-电压曲线,进一步分析了产品的电学稳定性.研究发现I.n提升了42％,开关比(I.n/I..)提升了约70％,优化后的TFT的稳定性优于优化之前,达到了改善TFT特性的目的.
對低速沉積的柵極絕緣層和低速沉積的有源層的薄膜沉積條件進行瞭優化,設定4箇實驗條件,攷察瞭不同條件下膜層的均勻性,TFT產品的開路電流(I.n)的整體分佈規律以及均勻性,Ion的提升比例以及產品的閾值電壓,確定條件二為最優條件.對比優化前後產品的柵極偏應力下TFT的轉移麯線和高頻信號下電容-電壓麯線,進一步分析瞭產品的電學穩定性.研究髮現I.n提升瞭42％,開關比(I.n/I..)提升瞭約70％,優化後的TFT的穩定性優于優化之前,達到瞭改善TFT特性的目的.
대저속침적적책겁절연층화저속침적적유원층적박막침적조건진행료우화,설정4개실험조건,고찰료불동조건하막층적균균성,TFT산품적개로전류(I.n)적정체분포규률이급균균성,Ion적제승비례이급산품적역치전압,학정조건이위최우조건.대비우화전후산품적책겁편응력하TFT적전이곡선화고빈신호하전용-전압곡선,진일보분석료산품적전학은정성.연구발현I.n제승료42％,개관비(I.n/I..)제승료약70％,우화후적TFT적은정성우우우화지전,체도료개선TFT특성적목적.
