计算机与数字工程
計算機與數字工程
계산궤여수자공정
COMPUTER & DIGITAL ENGINEERING
2013年
12期
2024-2026,2029
,共4页
ONFI%Toggle%源同步%DDR%写通道%读通道
ONFI%Toggle%源同步%DDR%寫通道%讀通道
ONFI%Toggle%원동보%DDR%사통도%독통도
ONFI%Toggle%source synchronous%DDR%write data path%read data path
论文设计了一种能支持ONFI 2.1与Toggle 1.0模式的NANDFlash PHY,完成了其读写通道、地址与控制逻辑的设计,并采用读门控电路消除DQS读前后的毛刺.功能仿真与静态时序分析结果表明,PHY的设计达到了ONFI与Toggle标准时序要求.NANDFlash PHY面积为45245.5μm2,动态功耗为1.16mW,静态功耗为95.8μW.
論文設計瞭一種能支持ONFI 2.1與Toggle 1.0模式的NANDFlash PHY,完成瞭其讀寫通道、地阯與控製邏輯的設計,併採用讀門控電路消除DQS讀前後的毛刺.功能倣真與靜態時序分析結果錶明,PHY的設計達到瞭ONFI與Toggle標準時序要求.NANDFlash PHY麵積為45245.5μm2,動態功耗為1.16mW,靜態功耗為95.8μW.
논문설계료일충능지지ONFI 2.1여Toggle 1.0모식적NANDFlash PHY,완성료기독사통도、지지여공제라집적설계,병채용독문공전로소제DQS독전후적모자.공능방진여정태시서분석결과표명,PHY적설계체도료ONFI여Toggle표준시서요구.NANDFlash PHY면적위45245.5μm2,동태공모위1.16mW,정태공모위95.8μW.
