泉州师范学院学报
泉州師範學院學報
천주사범학원학보
JOURNAL OF QUANZHOU NORMAL COLLGEG
2013年
6期
34-37
,共4页
翁文婷%肖春妹%潘仲巍%赖传烨%徐桂燕
翁文婷%肖春妹%潘仲巍%賴傳燁%徐桂燕
옹문정%초춘매%반중외%뢰전엽%서계연
离子液体%壳聚糖%自组装膜%修饰电极%铜离子
離子液體%殼聚糖%自組裝膜%脩飾電極%銅離子
리자액체%각취당%자조장막%수식전겁%동리자
采用N-丁基吡啶六氟磷酸盐[BuPy]PF6和壳聚糖(Chi)作为修饰剂,通过静电吸附作用在玻碳电极表面形成稳定性较强的自组装膜修饰电极[BuPy] PF6-Chi/GC.采用电化学阻抗谱技术和循环伏安法研究自组装膜在K3[Fe(CN)6]-K4[Fe(CN)6]溶液中的电化学行为,结果表明:形成的自组装膜对溶液与基底间的界面电子转移有强烈的阻碍作用,氧化还原峰电流与扫速的1/2次方在20~100 mV/s的范围内呈良好的线性关系,表明该电极过程受扩散控制.该修饰电极对铜离子有很好的选择性,响应灵敏度相比于未修饰的电极提高60倍,铜离子的溶出线性伏安峰电流与其浓度在1.56×10-6~6.25×10-6 mol·L-1范围内呈良好的线性关系(R =0.996 6).
採用N-丁基吡啶六氟燐痠鹽[BuPy]PF6和殼聚糖(Chi)作為脩飾劑,通過靜電吸附作用在玻碳電極錶麵形成穩定性較彊的自組裝膜脩飾電極[BuPy] PF6-Chi/GC.採用電化學阻抗譜技術和循環伏安法研究自組裝膜在K3[Fe(CN)6]-K4[Fe(CN)6]溶液中的電化學行為,結果錶明:形成的自組裝膜對溶液與基底間的界麵電子轉移有彊烈的阻礙作用,氧化還原峰電流與掃速的1/2次方在20~100 mV/s的範圍內呈良好的線性關繫,錶明該電極過程受擴散控製.該脩飾電極對銅離子有很好的選擇性,響應靈敏度相比于未脩飾的電極提高60倍,銅離子的溶齣線性伏安峰電流與其濃度在1.56×10-6~6.25×10-6 mol·L-1範圍內呈良好的線性關繫(R =0.996 6).
채용N-정기필정륙불린산염[BuPy]PF6화각취당(Chi)작위수식제,통과정전흡부작용재파탄전겁표면형성은정성교강적자조장막수식전겁[BuPy] PF6-Chi/GC.채용전화학조항보기술화순배복안법연구자조장막재K3[Fe(CN)6]-K4[Fe(CN)6]용액중적전화학행위,결과표명:형성적자조장막대용액여기저간적계면전자전이유강렬적조애작용,양화환원봉전류여소속적1/2차방재20~100 mV/s적범위내정량호적선성관계,표명해전겁과정수확산공제.해수식전겁대동리자유흔호적선택성,향응령민도상비우미수식적전겁제고60배,동리자적용출선성복안봉전류여기농도재1.56×10-6~6.25×10-6 mol·L-1범위내정량호적선성관계(R =0.996 6).