发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
1期
105-112
,共8页
熊贤风%元淼%林广庆%王向华%吕国强
熊賢風%元淼%林廣慶%王嚮華%呂國彊
웅현풍%원묘%림엄경%왕향화%려국강
有机半导体%有机薄膜晶体管%喷墨打印%表面修饰%绝缘聚合物
有機半導體%有機薄膜晶體管%噴墨打印%錶麵脩飾%絕緣聚閤物
유궤반도체%유궤박막정체관%분묵타인%표면수식%절연취합물
organic semiconductor%organic thin-film transistor (OTFT)%inkjet printing%surface modification%insulating polymer
采用旋涂法预先在SiO2衬底表面形成一层聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌.采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器件.作为对比,在未经过表面修饰的SiO2衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO2衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率.在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm2·V-1·s-1.
採用鏇塗法預先在SiO2襯底錶麵形成一層聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作為錶麵脩飾層,以噴墨打印的6,13-雙(三異丙基甲硅烷基乙炔基)併五苯(TIPS併五苯)作為有源層製作有機薄膜晶體管,有效改善瞭有機半導體薄膜的形貌.採用真空熱蒸鍍工藝製備源漏電極,形成底柵頂接觸結構的有機薄膜晶體管(OTFT)器件.作為對比,在未經過錶麵脩飾的SiO2襯底上採用相同條件打印TIPS併五苯薄膜晶體管,髮現在經過PVP脩飾的SiO2襯底上打印的單點厚度更均勻,咖啡環效應被抑製或被消除;而通過多點交疊打印形成的矩形薄膜的晶粒呎吋更大,相應的OTFT器件具有更高的場效應遷移率.在有PVP脩飾層的襯底上製作的OTFT,器件在飽和區的平均場效應遷移率達到瞭0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2襯底上製作的器件,相應的平均場效應遷移率僅為0.02 cm2·V-1·s-1.
채용선도법예선재SiO2츤저표면형성일층취(4-을희기분분)(PVP)작위표면수식층,이분묵타인적6,13-쌍(삼이병기갑규완기을결기)병오분(TIPS병오분)작위유원층제작유궤박막정체관,유효개선료유궤반도체박막적형모.채용진공열증도공예제비원루전겁,형성저책정접촉결구적유궤박막정체관(OTFT)기건.작위대비,재미경과표면수식적SiO2츤저상채용상동조건타인TIPS병오분박막정체관,발현재경과PVP수식적SiO2츤저상타인적단점후도경균균,가배배효응피억제혹피소제;이통과다점교첩타인형성적구형박막적정립척촌경대,상응적OTFT기건구유경고적장효응천이솔.재유PVP수식층적츤저상제작적OTFT,기건재포화구적평균장효응천이솔체도료0.065 cm2·V-1·s-1;이직접재SiO2츤저상제작적기건,상응적평균장효응천이솔부위0.02 cm2·V-1·s-1.
