电子科技
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전자과기
IT AGE
2014年
1期
115-116,120
,共3页
王振晓%张锴%李涛%王丹丹%韩孟序
王振曉%張鍇%李濤%王丹丹%韓孟序
왕진효%장개%리도%왕단단%한맹서
MOCVD%Si(111)%GaN%双晶X射线衍射
MOCVD%Si(111)%GaN%雙晶X射線衍射
MOCVD%Si(111)%GaN%쌍정X사선연사
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.
利用LP-MOCVD技術在Si(111)襯底上,用不同A1組分的A1GaN做緩遲層,再在緩遲層上生長GaN薄膜,採用XRD技術和原子力顯微鏡(AFM)分析樣品知,樣品整體的結晶質量良好.通過分析外延層的拉曼譜得齣GaN中存在應力,而且是張應力,通過計算得齣,應力為0.23 GPa.
이용LP-MOCVD기술재Si(111)츤저상,용불동A1조분적A1GaN주완충층,재재완충층상생장GaN박막,채용XRD기술화원자력현미경(AFM)분석양품지,양품정체적결정질량량호.통과분석외연층적랍만보득출GaN중존재응력,이차시장응력,통과계산득출,응력위0.23 GPa.
