科技创新与应用
科技創新與應用
과기창신여응용
Technology Innovation and Application
2014年
7期
3-4
,共2页
微电子封装%TSV%金属化%键合%DRAM
微電子封裝%TSV%金屬化%鍵閤%DRAM
미전자봉장%TSV%금속화%건합%DRAM
随着微电子制造由二维向三维发展，三维芯片堆叠的封装方式成为发展的必然方向。但是使用传统金线键合的三维电路封装技术不仅会占用大量空间，同时会增加能耗、降低运行速度。因此，可实现芯片直接互联的TSV技术孕育而生。TSV技术可以使微电子封装达到最密连接，三维尺寸达到最小；同时TSV技术降低了连接长度，可有效降低芯片能耗，提高运行速度。在DRAM芯片制造中使用TSV技术可以使IC器件的性能大幅度提高，其中基于TSV技术开发的混合存储立方体（HMC）可以使存储器性能提高20倍，而体积和能耗缩小到原有1/10。但由于TSV技术本身的缺点使其商业化过程步履艰难。而TSV技术最大的缺点还是在于成本太高。
隨著微電子製造由二維嚮三維髮展，三維芯片堆疊的封裝方式成為髮展的必然方嚮。但是使用傳統金線鍵閤的三維電路封裝技術不僅會佔用大量空間，同時會增加能耗、降低運行速度。因此，可實現芯片直接互聯的TSV技術孕育而生。TSV技術可以使微電子封裝達到最密連接，三維呎吋達到最小；同時TSV技術降低瞭連接長度，可有效降低芯片能耗，提高運行速度。在DRAM芯片製造中使用TSV技術可以使IC器件的性能大幅度提高，其中基于TSV技術開髮的混閤存儲立方體（HMC）可以使存儲器性能提高20倍，而體積和能耗縮小到原有1/10。但由于TSV技術本身的缺點使其商業化過程步履艱難。而TSV技術最大的缺點還是在于成本太高。
수착미전자제조유이유향삼유발전，삼유심편퇴첩적봉장방식성위발전적필연방향。단시사용전통금선건합적삼유전로봉장기술불부회점용대량공간，동시회증가능모、강저운행속도。인차，가실현심편직접호련적TSV기술잉육이생。TSV기술가이사미전자봉장체도최밀련접，삼유척촌체도최소；동시TSV기술강저료련접장도，가유효강저심편능모，제고운행속도。재DRAM심편제조중사용TSV기술가이사IC기건적성능대폭도제고，기중기우TSV기술개발적혼합존저립방체（HMC）가이사존저기성능제고20배，이체적화능모축소도원유1/10。단유우TSV기술본신적결점사기상업화과정보리간난。이TSV기술최대적결점환시재우성본태고。
