安全与电磁兼容
安全與電磁兼容
안전여전자겸용
SAFETY & EMC
2013年
6期
69-72
,共4页
FDTD-PSPICE%CMOS%电磁波
FDTD-PSPICE%CMOS%電磁波
FDTD-PSPICE%CMOS%전자파
介绍了FDTD-PSPICE法进行场-路计算的基本方法和优势,利用该方法仿真计算了强电磁脉冲辐照对CMOS反相器逻辑电平的扰乱作用,发现强电磁脉冲可致使CMOS反相器的逻辑电平发生畸变或发生翻转,并比较了不同频率、不同强度电磁脉冲对CMOS电路的扰乱效果,结果表明,CMOS电路对特定频率的电磁波具有更高的敏感性.
介紹瞭FDTD-PSPICE法進行場-路計算的基本方法和優勢,利用該方法倣真計算瞭彊電磁脈遲輻照對CMOS反相器邏輯電平的擾亂作用,髮現彊電磁脈遲可緻使CMOS反相器的邏輯電平髮生畸變或髮生翻轉,併比較瞭不同頻率、不同彊度電磁脈遲對CMOS電路的擾亂效果,結果錶明,CMOS電路對特定頻率的電磁波具有更高的敏感性.
개소료FDTD-PSPICE법진행장-로계산적기본방법화우세,이용해방법방진계산료강전자맥충복조대CMOS반상기라집전평적우란작용,발현강전자맥충가치사CMOS반상기적라집전평발생기변혹발생번전,병비교료불동빈솔、불동강도전자맥충대CMOS전로적우란효과,결과표명,CMOS전로대특정빈솔적전자파구유경고적민감성.
