宇航材料工艺
宇航材料工藝
우항재료공예
AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY
2014年
1期
101-106
,共6页
何凤梅%陈聪慧%杨景兴%黄娜%王晓叶
何鳳梅%陳聰慧%楊景興%黃娜%王曉葉
하봉매%진총혜%양경흥%황나%왕효협
氮化硅%多孔%氧化特性%高温%陶瓷材料
氮化硅%多孔%氧化特性%高溫%陶瓷材料
담화규%다공%양화특성%고온%도자재료
Si3N4%Porous%Oxidation behavior%High temperature%Ceramic material
采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃.结果表明:多孔氮化硅在0.1 MPa静态空气气氛下,800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应.当生成的SiO2将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况.此外,同等温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品.
採用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,對某一典型多孔氮化硅樣品進行4箇不同溫度點的靜態和微動態連續氧化試驗,最高氧化溫度為1 400℃.結果錶明:多孔氮化硅在0.1 MPa靜態空氣氣氛下,800℃之前,氧化反應非常微弱,800℃以上可見明顯的氧化反應,1 000℃以上氧化反應加劇,增重速率加快,併優先髮生在錶麵與外部孔壁處,之後再髮生在樣品的內部孔隙處,氧化反應受界麵處的化學動力學控製,以被動氧化為主,主要生成物是SiO2,屬吸熱反應.噹生成的SiO2將氮化硅錶麵和孔壁處覆蓋時,在其界麵處,隨著溫度的進一步升高或時間的延長,會生成Si2N2O,且需要註意防範樣品可能齣現脆性斷裂情況.此外,同等溫度下,動態氧化氣氛將加速氮化硅的氧化,特彆是多孔和粉末狀樣品.
채용TG-DSC、XRD、SEM、ICP등분석수단,대모일전형다공담화규양품진행4개불동온도점적정태화미동태련속양화시험,최고양화온도위1 400℃.결과표명:다공담화규재0.1 MPa정태공기기분하,800℃지전,양화반응비상미약,800℃이상가견명현적양화반응,1 000℃이상양화반응가극,증중속솔가쾌,병우선발생재표면여외부공벽처,지후재발생재양품적내부공극처,양화반응수계면처적화학동역학공제,이피동양화위주,주요생성물시SiO2,속흡열반응.당생성적SiO2장담화규표면화공벽처복개시,재기계면처,수착온도적진일보승고혹시간적연장,회생성Si2N2O,차수요주의방범양품가능출현취성단렬정황.차외,동등온도하,동태양화기분장가속담화규적양화,특별시다공화분말상양품.
