宜宾学院学报
宜賓學院學報
의빈학원학보
JOURNAL OF YIBIN UNIVERSITY
2013年
12期
42-45,71
,共5页
文萍%周亚鑫%唐纲%程晓洪%柳福提
文萍%週亞鑫%唐綱%程曉洪%柳福提
문평%주아흠%당강%정효홍%류복제
掺杂%硅链%电子输运%密度泛函理论%非平衡格林函数
摻雜%硅鏈%電子輸運%密度汎函理論%非平衡格林函數
참잡%규련%전자수운%밀도범함이론%비평형격림함수
运用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对5个Si原子构成的链耦合在Au(100)之间所形成的三明治结构的纳米结点的电子输运性质进行了第一性原理计算,结果得到在两极距离为20.556 A时,几何结构最稳定,此时平衡电导为0.711G0(=2e2/h);在此稳定结构中,把中间的一个Si原子替换成C原子后,其平衡电导为1.344Go.电子主要是通过Si原子链的p电子轨道进行传输的.在-1.0～1.0V的电压范围内,随着正负偏压的增大,电导减小;在相同电压下,掺C后的Si链的电导比未掺杂Si链的电导大,即掺C能有效提高Si链的电子传输性能.
運用密度汎函理論結閤非平衡格林函數方法,對5箇Si原子構成的鏈耦閤在Au(100)之間所形成的三明治結構的納米結點的電子輸運性質進行瞭第一性原理計算,結果得到在兩極距離為20.556 A時,幾何結構最穩定,此時平衡電導為0.711G0(=2e2/h);在此穩定結構中,把中間的一箇Si原子替換成C原子後,其平衡電導為1.344Go.電子主要是通過Si原子鏈的p電子軌道進行傳輸的.在-1.0～1.0V的電壓範圍內,隨著正負偏壓的增大,電導減小;在相同電壓下,摻C後的Si鏈的電導比未摻雜Si鏈的電導大,即摻C能有效提高Si鏈的電子傳輸性能.
운용밀도범함이론결합비평형격림함수방법,대5개Si원자구성적련우합재Au(100)지간소형성적삼명치결구적납미결점적전자수운성질진행료제일성원리계산,결과득도재량겁거리위20.556 A시,궤하결구최은정,차시평형전도위0.711G0(=2e2/h);재차은정결구중,파중간적일개Si원자체환성C원자후,기평형전도위1.344Go.전자주요시통과Si원자련적p전자궤도진행전수적.재-1.0～1.0V적전압범위내,수착정부편압적증대,전도감소;재상동전압하,참C후적Si련적전도비미참잡Si련적전도대,즉참C능유효제고Si련적전자전수성능.
