计算机研究与发展
計算機研究與髮展
계산궤연구여발전
JOURNAL OF COMPUTER RESEARCH AND DEVELOPMENT
2014年
2期
445-453
,共9页
非易失存储%PCRAM%STT-RAM%缓存%主存%外存
非易失存儲%PCRAM%STT-RAM%緩存%主存%外存
비역실존저%PCRAM%STT-RAM%완존%주존%외존
non-volatile storage%PCRAM%STT-RAM%cache%main memory%external storage
近年来,由于处理器性能和存储性能之间的差距不断扩大,存储系统成为计算机整体系统性能提升的瓶颈.随着微电子技术的迅速发展,新型非易失存储器件由于具有非易失、低能耗、良好的可扩展性和抗震等优良特性,得到了学术界和工业界的广泛关注.介绍了4种新型非易失存储器件,分别是STT-RAM,RRAM,PCRAM和FeRAM,对比了其与传统存储器件的性能参数.讨论了目前在存储架构中的不同层面(即缓存层、主存层和外存层)针对这些非易失存储器件的利用所开展的一些探索性工作,并分析了其中针对非易失存储器件的写次数有限、读写性能不均衡等不足所作出的一些策略设计.最后,对新型非易失存储器件的研究现状进行了总结,并提出了未来可能的发展方向.
近年來,由于處理器性能和存儲性能之間的差距不斷擴大,存儲繫統成為計算機整體繫統性能提升的瓶頸.隨著微電子技術的迅速髮展,新型非易失存儲器件由于具有非易失、低能耗、良好的可擴展性和抗震等優良特性,得到瞭學術界和工業界的廣汎關註.介紹瞭4種新型非易失存儲器件,分彆是STT-RAM,RRAM,PCRAM和FeRAM,對比瞭其與傳統存儲器件的性能參數.討論瞭目前在存儲架構中的不同層麵(即緩存層、主存層和外存層)針對這些非易失存儲器件的利用所開展的一些探索性工作,併分析瞭其中針對非易失存儲器件的寫次數有限、讀寫性能不均衡等不足所作齣的一些策略設計.最後,對新型非易失存儲器件的研究現狀進行瞭總結,併提齣瞭未來可能的髮展方嚮.
근년래,유우처리기성능화존저성능지간적차거불단확대,존저계통성위계산궤정체계통성능제승적병경.수착미전자기술적신속발전,신형비역실존저기건유우구유비역실、저능모、량호적가확전성화항진등우량특성,득도료학술계화공업계적엄범관주.개소료4충신형비역실존저기건,분별시STT-RAM,RRAM,PCRAM화FeRAM,대비료기여전통존저기건적성능삼수.토론료목전재존저가구중적불동층면(즉완존층、주존층화외존층)침대저사비역실존저기건적이용소개전적일사탐색성공작,병분석료기중침대비역실존저기건적사차수유한、독사성능불균형등불족소작출적일사책략설계.최후,대신형비역실존저기건적연구현상진행료총결,병제출료미래가능적발전방향.
