发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
2期
218-223
,共6页
刘金凤%姚博%郑挺才%彭应全
劉金鳳%姚博%鄭挺纔%彭應全
류금봉%요박%정정재%팽응전
有机/无机异质结%光电探测器%PTCDA%厚度优化
有機/無機異質結%光電探測器%PTCDA%厚度優化
유궤/무궤이질결%광전탐측기%PTCDA%후도우화
organic/inorganic heterojunction%photodetector%PTCDA%thickness optimization
以p型硅和茈四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管.研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响.对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W.进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能.在Au厚度为20 nm时,器件的光响应度达到最优化的0.5 A/W.
以p型硅和茈四甲痠二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)為異質結,梳狀金(Au)薄膜作為頂電極和光入射窗口製備瞭光敏二極管.研究錶明,PTCDA的厚度和Au電極的厚度對光敏二極管的光響應度有很大的影響.對比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度為100 nm時,光響應度最高達到0.3 A/W.進而採用最優化的100 nm厚的PTCDA薄膜製備硅基光敏二極管,對比不同Au電極厚度的器件性能.在Au厚度為20 nm時,器件的光響應度達到最優化的0.5 A/W.
이p형규화자사갑산이항(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)위이질결,소상금(Au)박막작위정전겁화광입사창구제비료광민이겁관.연구표명,PTCDA적후도화Au전겁적후도대광민이겁관적광향응도유흔대적영향.대비불동PTCDA후도적기건성능,재PTCDA후도위100 nm시,광향응도최고체도0.3 A/W.진이채용최우화적100 nm후적PTCDA박막제비규기광민이겁관,대비불동Au전겁후도적기건성능.재Au후도위20 nm시,기건적광향응도체도최우화적0.5 A/W.