发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
2期
213-217
,共5页
俞鑫%郭伟玲%樊星%白俊雪%程顺波%韩禹
俞鑫%郭偉玲%樊星%白俊雪%程順波%韓禹
유흠%곽위령%번성%백준설%정순파%한우
高压LED%热分析%ANSYS%热阻%深沟槽
高壓LED%熱分析%ANSYS%熱阻%深溝槽
고압LED%열분석%ANSYS%열조%심구조
high voltage LED%thermal analysis%ANSYS%thermal resistance%deep groove structure
设计并制备了51 V高压LED.对器件进行了大电流冲击试验并对器件的损毁原因进行了分析.运用有限元分析软件ANSYS对LED关键结构部位进行参数化建模及热分布模拟,得到其稳态的温度场分布;然后经过与红外热像仪成像图对比,得出电极烧毁的原因在于芯粒连接处的电极过薄过窄而导致的电阻过大,为后续设计更可靠的高压LED提供了参考.对芯片分别进行蓝光及色温5 000 K的白光封装,并分别测量了热阻,涂覆荧光粉的白光灯珠的热阻要比没有涂覆荧光粉的蓝光灯珠高约4℃/W.同时,51 V高压LED的热阻比1W大功率LED要高,说明高压LED的散热性能比常规LED要差,这可能与高压LED具有深沟槽及众多的互联电极结构有关.
設計併製備瞭51 V高壓LED.對器件進行瞭大電流遲擊試驗併對器件的損燬原因進行瞭分析.運用有限元分析軟件ANSYS對LED關鍵結構部位進行參數化建模及熱分佈模擬,得到其穩態的溫度場分佈;然後經過與紅外熱像儀成像圖對比,得齣電極燒燬的原因在于芯粒連接處的電極過薄過窄而導緻的電阻過大,為後續設計更可靠的高壓LED提供瞭參攷.對芯片分彆進行藍光及色溫5 000 K的白光封裝,併分彆測量瞭熱阻,塗覆熒光粉的白光燈珠的熱阻要比沒有塗覆熒光粉的藍光燈珠高約4℃/W.同時,51 V高壓LED的熱阻比1W大功率LED要高,說明高壓LED的散熱性能比常規LED要差,這可能與高壓LED具有深溝槽及衆多的互聯電極結構有關.
설계병제비료51 V고압LED.대기건진행료대전류충격시험병대기건적손훼원인진행료분석.운용유한원분석연건ANSYS대LED관건결구부위진행삼수화건모급열분포모의,득도기은태적온도장분포;연후경과여홍외열상의성상도대비,득출전겁소훼적원인재우심립련접처적전겁과박과착이도치적전조과대,위후속설계경가고적고압LED제공료삼고.대심편분별진행람광급색온5 000 K적백광봉장,병분별측량료열조,도복형광분적백광등주적열조요비몰유도복형광분적람광등주고약4℃/W.동시,51 V고압LED적열조비1W대공솔LED요고,설명고압LED적산열성능비상규LED요차,저가능여고압LED구유심구조급음다적호련전겁결구유관.
