发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
2期
142-148
,共7页
黄河洲%贺蕴秋%李文有%储晓菲%李一鸣%陈慧敏%刘德宇
黃河洲%賀蘊鞦%李文有%儲曉菲%李一鳴%陳慧敏%劉德宇
황하주%하온추%리문유%저효비%리일명%진혜민%류덕우
还原石墨烯薄膜%光电性能%还原程度%能带结构
還原石墨烯薄膜%光電性能%還原程度%能帶結構
환원석묵희박막%광전성능%환원정도%능대결구
reduced graphene oxide%photoelectric property%reduction degree%energy band structure
通过电化学方法在FTO导电玻璃上沉积了不同还原程度(C/O)的还原氧化石墨烯薄膜(rGO),其中rGO薄膜由未经处理的GO电解液制备,A-rGO由碱处理后的电解液制备,B-rGO由NaBH4处理后的电解液制备.利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis对薄膜的化学结构和微观形貌进行了表征,并研究了薄膜在可见光照射下的光电性能.结果表明:在1.8V下沉积的不同C/O比的rGO薄膜中,B-rGO薄膜的C/O比最高(8.1),带隙最小(0.54 eV),导带最靠近FTO的导带位置.在可见光照射下,几种薄膜均产生了阴极电流,电流密度随C/O比的增大而增大,其中B-rGO最大达1μA·cm-2.本文提供了一种通过控制C/O比来控制rGO薄膜光电性能的方法.
通過電化學方法在FTO導電玻璃上沉積瞭不同還原程度(C/O)的還原氧化石墨烯薄膜(rGO),其中rGO薄膜由未經處理的GO電解液製備,A-rGO由堿處理後的電解液製備,B-rGO由NaBH4處理後的電解液製備.利用XRD、XPS、SEM、UV-Vis對薄膜的化學結構和微觀形貌進行瞭錶徵,併研究瞭薄膜在可見光照射下的光電性能.結果錶明:在1.8V下沉積的不同C/O比的rGO薄膜中,B-rGO薄膜的C/O比最高(8.1),帶隙最小(0.54 eV),導帶最靠近FTO的導帶位置.在可見光照射下,幾種薄膜均產生瞭陰極電流,電流密度隨C/O比的增大而增大,其中B-rGO最大達1μA·cm-2.本文提供瞭一種通過控製C/O比來控製rGO薄膜光電性能的方法.
통과전화학방법재FTO도전파리상침적료불동환원정도(C/O)적환원양화석묵희박막(rGO),기중rGO박막유미경처리적GO전해액제비,A-rGO유감처리후적전해액제비,B-rGO유NaBH4처리후적전해액제비.이용XRD、XPS、SEM、UV-Vis대박막적화학결구화미관형모진행료표정,병연구료박막재가견광조사하적광전성능.결과표명:재1.8V하침적적불동C/O비적rGO박막중,B-rGO박막적C/O비최고(8.1),대극최소(0.54 eV),도대최고근FTO적도대위치.재가견광조사하,궤충박막균산생료음겁전류,전류밀도수C/O비적증대이증대,기중B-rGO최대체1μA·cm-2.본문제공료일충통과공제C/O비래공제rGO박막광전성능적방법.
