平顶山学院学报
平頂山學院學報
평정산학원학보
JOURNAL OF PINGDINGSHAN UNIVERSITY
2014年
2期
32-37
,共6页
阚芝兰%石大为%吴美玲%李旻奕%肖海波%杨昌平
闞芝蘭%石大為%吳美玲%李旻奕%肖海波%楊昌平
감지란%석대위%오미령%리민혁%초해파%양창평
Cu2O%电化学沉积%光电性质%pH值
Cu2O%電化學沉積%光電性質%pH值
Cu2O%전화학침적%광전성질%pH치
以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O样品.利用XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征,并对Cu2O薄膜的光电性质和载流子类型进行了测量和分析.结果表明Cu2O薄膜的半导体性质与所用电解液的酸碱度有关,在酸性条件下,如pH=4,5时制备的Cu2O薄膜为N型半导体,在中性和碱性条件下,如pH =6,7,8,9,10,11时,制备的Cu2O薄膜为P型半导体.实验结果对制备N型Cu2O以及Cu2O的PN型同质结提供了一种有效方法.
以FTO玻片為基底,在不同pH值下採用恆電位電化學沉積法製備Cu2O樣品.利用XRD、SEM、EDS對樣品的相組成、晶體結構、微觀形貌和化學成分進行瞭錶徵,併對Cu2O薄膜的光電性質和載流子類型進行瞭測量和分析.結果錶明Cu2O薄膜的半導體性質與所用電解液的痠堿度有關,在痠性條件下,如pH=4,5時製備的Cu2O薄膜為N型半導體,在中性和堿性條件下,如pH =6,7,8,9,10,11時,製備的Cu2O薄膜為P型半導體.實驗結果對製備N型Cu2O以及Cu2O的PN型同質結提供瞭一種有效方法.
이FTO파편위기저,재불동pH치하채용항전위전화학침적법제비Cu2O양품.이용XRD、SEM、EDS대양품적상조성、정체결구、미관형모화화학성분진행료표정,병대Cu2O박막적광전성질화재류자류형진행료측량화분석.결과표명Cu2O박막적반도체성질여소용전해액적산감도유관,재산성조건하,여pH=4,5시제비적Cu2O박막위N형반도체,재중성화감성조건하,여pH =6,7,8,9,10,11시,제비적Cu2O박막위P형반도체.실험결과대제비N형Cu2O이급Cu2O적PN형동질결제공료일충유효방법.
