电子世界
電子世界
전자세계
ELECTRONICS WORLD
2014年
6期
100-101,102
,共3页
MEDICI仿真%新型高压SOI P-LDMOS器件%参数优化
MEDICI倣真%新型高壓SOI P-LDMOS器件%參數優化
MEDICI방진%신형고압SOI P-LDMOS기건%삼수우화
本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真，并根据性能需要优化器件相关参数。
本文以一箇利用Triple RESURF結構實現的新型高壓SOI P-LDMOS器件的實例來具體說明如何利用TCAD工具MEDICI對已知的器件結構進行倣真，併根據性能需要優化器件相關參數。
본문이일개이용Triple RESURF결구실현적신형고압SOI P-LDMOS기건적실례래구체설명여하이용TCAD공구MEDICI대이지적기건결구진행방진，병근거성능수요우화기건상관삼수。
