原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2014年
1期
167-172
,共6页
闫万珺%张春红%周士芸%谢泉%韦会敏
閆萬珺%張春紅%週士蕓%謝泉%韋會敏
염만군%장춘홍%주사예%사천%위회민
Ti掺杂CrSi2%第一性原理%电子结构%光学性质
Ti摻雜CrSi2%第一性原理%電子結構%光學性質
Ti참잡CrSi2%제일성원리%전자결구%광학성질
Ti-doped CrSi2%First principle%Electronic structure%Optical properties
采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11 TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38 eV变为0.082 eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11 TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33 eV处有一个峰,而原位于4.53 eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低.
採用第一性原理方法對Ti摻雜CrSi2的幾何結構、電子結構、複介電函數、吸收繫數、反射譜、摺射率和光電導率進行瞭計算,對Ti置換Cr原子後的光電特性變化進行瞭分析.結果錶明:Ti置換Cr原子後,晶格常數a,b和c均增大,體積變大;Ti的摻入引入瞭新的雜質能級,導緻費米能級插入價帶中,Cr11 TiSi24變為p型半導體,帶隙寬度由未摻雜時的0.38 eV變為0.082 eV,價帶頂和導帶底的態密度主要由Cr-d和Ti-d層電子貢獻;與未摻雜CrSi2相比,Cr11 TiSi24的介電峰髮生瞭紅移,僅在1.33 eV處有一箇峰,而原位于4.53 eV處的峰消失;吸收繫數,反射率和光電導率明顯降低.
채용제일성원리방법대Ti참잡CrSi2적궤하결구、전자결구、복개전함수、흡수계수、반사보、절사솔화광전도솔진행료계산,대Ti치환Cr원자후적광전특성변화진행료분석.결과표명:Ti치환Cr원자후,정격상수a,b화c균증대,체적변대;Ti적참입인입료신적잡질능급,도치비미능급삽입개대중,Cr11 TiSi24변위p형반도체,대극관도유미참잡시적0.38 eV변위0.082 eV,개대정화도대저적태밀도주요유Cr-d화Ti-d층전자공헌;여미참잡CrSi2상비,Cr11 TiSi24적개전봉발생료홍이,부재1.33 eV처유일개봉,이원위우4.53 eV처적봉소실;흡수계수,반사솔화광전도솔명현강저.
