原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2014年
1期
133-139
,共7页
硫化锌%Ga掺杂%电子结构%光学性质
硫化鋅%Ga摻雜%電子結構%光學性質
류화자%Ga참잡%전자결구%광학성질
ZnS%Ga-doped%Electronic structures%Optical properties
本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构掺入杂质Ga体系进行结构优化处理.计算了该体系下ZnS材料的电子结构和光学性质.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明:由于杂质Ga的引入,ZnS体系体积略有膨胀,并在费米面附近出现了深施主能级,单纯的通过Ga掺杂来实现低阻n型ZnS材料较为困难;由于杂质能级的引入,整个介电峰向低能方向偏移,电子在可见光区的跃迁显著增强.
本文基于第一性原理平麵波贗勢(PWP)和廣義梯度近似(GGA)方法,對ZnS閃鋅礦結構摻入雜質Ga體繫進行結構優化處理.計算瞭該體繫下ZnS材料的電子結構和光學性質.詳細分析瞭其平衡晶格常數、能帶結構、電子態密度分佈和光學性質.結果錶明:由于雜質Ga的引入,ZnS體繫體積略有膨脹,併在費米麵附近齣現瞭深施主能級,單純的通過Ga摻雜來實現低阻n型ZnS材料較為睏難;由于雜質能級的引入,整箇介電峰嚮低能方嚮偏移,電子在可見光區的躍遷顯著增彊.
본문기우제일성원리평면파안세(PWP)화엄의제도근사(GGA)방법,대ZnS섬자광결구참입잡질Ga체계진행결구우화처리.계산료해체계하ZnS재료적전자결구화광학성질.상세분석료기평형정격상수、능대결구、전자태밀도분포화광학성질.결과표명:유우잡질Ga적인입,ZnS체계체적략유팽창,병재비미면부근출현료심시주능급,단순적통과Ga참잡래실현저조n형ZnS재료교위곤난;유우잡질능급적인입,정개개전봉향저능방향편이,전자재가견광구적약천현저증강.
