原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2014年
3期
482-487
,共6页
张向丹%乔庆鹏%余功奇%张宪周
張嚮丹%喬慶鵬%餘功奇%張憲週
장향단%교경붕%여공기%장헌주
半导体化合物%电子带结构%光学特性
半導體化閤物%電子帶結構%光學特性
반도체화합물%전자대결구%광학특성
Semiconductor compound%Electronic structure%Optical properties
用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17 eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4+阴离子.我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致.
用全電勢線性綴加平麵波法加跼域軌道方法調查瞭黃銅礦半導體CuInS2的結構、電子和光學特性.我們計算的帶隙0.17 eV是直接的,其它實驗和理論也錶明這種材料有一箇直接帶隙.在In 4d和S3p軌道之間有相噹彊的雜化,構成瞭(InS2)4+陰離子.我們計算的反射率光譜,介電函數的實部和虛部,消光繫數和摺射率和實驗結果取得瞭很好的一緻.
용전전세선성철가평면파법가국역궤도방법조사료황동광반도체CuInS2적결구、전자화광학특성.아문계산적대극0.17 eV시직접적,기타실험화이론야표명저충재료유일개직접대극.재In 4d화S3p궤도지간유상당강적잡화,구성료(InS2)4+음리자.아문계산적반사솔광보,개전함수적실부화허부,소광계수화절사솔화실험결과취득료흔호적일치.
