电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2014年
1期
8-11,后插1
,共5页
伏广好%鲁浩%尹丽%贺岩峰
伏廣好%魯浩%尹麗%賀巖峰
복엄호%로호%윤려%하암봉
锡-银-铜合金%共沉积%添加剂%烷基糖苷%槲皮素
錫-銀-銅閤金%共沉積%添加劑%烷基糖苷%槲皮素
석-은-동합금%공침적%첨가제%완기당감%곡피소
tin-silver-copper alloy%codeposition%additive
通过测定循环伏安曲线、镀层表面形貌和X射线衍射谱图,研究了单一的烷基糖苷(APG)或APG+槲皮素的组合添加剂对Sn-Ag-Cu三元合金共沉积的影响.镀液的基础组成和工艺条件为:Sn(CH3SO3)2 0.18 mol/L,Ag2O 0.006 mol/L,Cu(CH3SO3)2 0.001 2 mol/L,硫脲0.06 mol/L,羧乙基乙二胺三乙酸(HEDTA) 1.0 mol/L,pH 5.0,温度25℃,电流密度6.6 mA/cm2,时间30 min.结果表明,镀液中APG或APG+槲皮素的存在使锡离子的扩散系数减小,Sn-Ag-Cu三元合金的共沉积过程受阻.镀液中加入1.00 g/L APG或1.00 g/L APG+ 0.05 g/L槲皮素后,Sn-Ag-Cu镀层外观改善,镀层结晶细致、均匀,晶面择优取向由Sn(211)转变为Sn (200).因此,APG或APG与少量槲皮素的组合适合用作Sn-Ag-Cu共沉积的添加剂.
通過測定循環伏安麯線、鍍層錶麵形貌和X射線衍射譜圖,研究瞭單一的烷基糖苷(APG)或APG+槲皮素的組閤添加劑對Sn-Ag-Cu三元閤金共沉積的影響.鍍液的基礎組成和工藝條件為:Sn(CH3SO3)2 0.18 mol/L,Ag2O 0.006 mol/L,Cu(CH3SO3)2 0.001 2 mol/L,硫脲0.06 mol/L,羧乙基乙二胺三乙痠(HEDTA) 1.0 mol/L,pH 5.0,溫度25℃,電流密度6.6 mA/cm2,時間30 min.結果錶明,鍍液中APG或APG+槲皮素的存在使錫離子的擴散繫數減小,Sn-Ag-Cu三元閤金的共沉積過程受阻.鍍液中加入1.00 g/L APG或1.00 g/L APG+ 0.05 g/L槲皮素後,Sn-Ag-Cu鍍層外觀改善,鍍層結晶細緻、均勻,晶麵擇優取嚮由Sn(211)轉變為Sn (200).因此,APG或APG與少量槲皮素的組閤適閤用作Sn-Ag-Cu共沉積的添加劑.
통과측정순배복안곡선、도층표면형모화X사선연사보도,연구료단일적완기당감(APG)혹APG+곡피소적조합첨가제대Sn-Ag-Cu삼원합금공침적적영향.도액적기출조성화공예조건위:Sn(CH3SO3)2 0.18 mol/L,Ag2O 0.006 mol/L,Cu(CH3SO3)2 0.001 2 mol/L,류뇨0.06 mol/L,최을기을이알삼을산(HEDTA) 1.0 mol/L,pH 5.0,온도25℃,전류밀도6.6 mA/cm2,시간30 min.결과표명,도액중APG혹APG+곡피소적존재사석리자적확산계수감소,Sn-Ag-Cu삼원합금적공침적과정수조.도액중가입1.00 g/L APG혹1.00 g/L APG+ 0.05 g/L곡피소후,Sn-Ag-Cu도층외관개선,도층결정세치、균균,정면택우취향유Sn(211)전변위Sn (200).인차,APG혹APG여소량곡피소적조합괄합용작Sn-Ag-Cu공침적적첨가제.
