300 mm晶圆化学机械抛光机关键技术研究与实现
300 mm정원화학궤계포광궤관건기술연구여실현
Research and Implementation on Critical Technology of Chemical Mechanical Polishing Tool for 300 mm Wafer
  • 万方数据
    机械工程学报 궤계공정학보
    CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING
    2014年 5期 182-187 ,共6页

    王同庆%路新春%赵德文%门延武%何永勇

    왕동경%로신춘%조덕문%문연무%하영용

    300 mm晶圆%抛光头%多区压力%超低压力%化学机械抛光 300 mm晶圓%拋光頭%多區壓力%超低壓力%化學機械拋光
    300 mm정원%포광두%다구압력%초저압력%화학궤계포광
    300 mm wafer%polishing head%multi-zone pressure%ultra-low downforce%chemical mechanical polishing
    在芯片微细化和互连多层化趋势下,化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)成为集成电路制造的核心技术.针对300 mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300 mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状,开展300 mm晶圆CMP装备关键技术研究.研制出300 mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统,该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能,每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测;压力控制系统性能测试结果表明,该系统可实现689.5 Pa的超低压力,其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求;开发了300 mm晶圆超低压力CMP样机,创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程,并利用该样机初步开展铜CMP试验研究.试验结果表明:抛光压力为15.169 kPa 时,材料去除率达671.3 nm/min,片内非均匀性为3.93％.
    재심편미세화화호련다층화추세하,화학궤계포광(Chemical mechanical polishing,CMP)성위집성전로제조적핵심기술.침대300 mm정원CMP장비피겁소수국외엄가롱단、국내300 mm정원CMP장비수평원원락후적현상,개전300 mm정원CMP장비관건기술연구.연제출300 mm정원다구압력포광두급기압력공제계통,해포광두구유다구압력、부동보지배급진공흡부등공능,매개강실균가실현시가정압、추부압、통대기화설루검측;압력공제계통성능측시결과표명,해계통가실현689.5 Pa적초저압력,기정도화향응속도균능만족상규압력급초저압력CMP적요구;개발료300 mm정원초저압력CMP양궤,창건출일투비교은정、가고적공예류정,병이용해양궤초보개전동CMP시험연구.시험결과표명:포광압력위15.169 kPa 시,재료거제솔체671.3 nm/min,편내비균균성위3.93％.
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