电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2014年
2期
68-70,50
,共4页
张效衡%周林杰%李新碗%陈建平
張效衡%週林傑%李新碗%陳建平
장효형%주림걸%리신완%진건평
多模干涉型器件%硅基光子集成%光无源器件
多模榦涉型器件%硅基光子集成%光無源器件
다모간섭형기건%규기광자집성%광무원기건
multimode interference device%silicon photonics integration%optical passive device
文章通过分析制约多模干涉型耦合器带宽的因素,提出三种可提高MMI带宽的设计方法。仿真结果表明,三种方法均可以不同程度地提高MMI的工作波长范围,对比于常规MMI耦合器的60nm工作波长范围,采用优化设计方法可将其带宽提高到140nm至210nm。当同时采用三种设计方法后,带宽可以达到300nm,是原结构带宽的5倍。
文章通過分析製約多模榦涉型耦閤器帶寬的因素,提齣三種可提高MMI帶寬的設計方法。倣真結果錶明,三種方法均可以不同程度地提高MMI的工作波長範圍,對比于常規MMI耦閤器的60nm工作波長範圍,採用優化設計方法可將其帶寬提高到140nm至210nm。噹同時採用三種設計方法後,帶寬可以達到300nm,是原結構帶寬的5倍。
문장통과분석제약다모간섭형우합기대관적인소,제출삼충가제고MMI대관적설계방법。방진결과표명,삼충방법균가이불동정도지제고MMI적공작파장범위,대비우상규MMI우합기적60nm공작파장범위,채용우화설계방법가장기대관제고도140nm지210nm。당동시채용삼충설계방법후,대관가이체도300nm,시원결구대관적5배。
On the basis of analyzing the factors that limit the bandwidth of multimode interference couplers, three methods are proposed to improve the bandwidth of MMI. Simulations are performed to study the device characteristics. It shows that the revised structures have an improved bandwidth in the range of 140nm to 210nm in comparison with 60nm of a regular structure. The combination of the three methods results in an even higher bandwidth of 300nm, which is five times larger than that of the original one.