科技传播
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과기전파
PUBLIC COMMUNICATION OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2014年
4期
149-150
,共2页
气相法%氧化锌%纳米线阵列%扫描电镜
氣相法%氧化鋅%納米線陣列%掃描電鏡
기상법%양화자%납미선진렬%소묘전경
采用催化剂辅助化学气相沉积法，在匹配的GaN衬底上定向生长一维ZnO纳米结构。重点讨论了催化剂、沉积位置和管内真空度的对比性优化实验结果，分析给出了纳米阵列最佳的生长工艺条件。在管内压强保持1Kpa～2 Kpa范围，距反应中心12.5 cm处，成功研制出了整片尺寸均匀、形貌优良、垂直排列的高质量ZnO纳米线阵列。
採用催化劑輔助化學氣相沉積法，在匹配的GaN襯底上定嚮生長一維ZnO納米結構。重點討論瞭催化劑、沉積位置和管內真空度的對比性優化實驗結果，分析給齣瞭納米陣列最佳的生長工藝條件。在管內壓彊保持1Kpa～2 Kpa範圍，距反應中心12.5 cm處，成功研製齣瞭整片呎吋均勻、形貌優良、垂直排列的高質量ZnO納米線陣列。
채용최화제보조화학기상침적법，재필배적GaN츤저상정향생장일유ZnO납미결구。중점토론료최화제、침적위치화관내진공도적대비성우화실험결과，분석급출료납미진렬최가적생장공예조건。재관내압강보지1Kpa～2 Kpa범위，거반응중심12.5 cm처，성공연제출료정편척촌균균、형모우량、수직배렬적고질량ZnO납미선진렬。
