电子世界
電子世界
전자세계
ELECTRONICS WORLD
2014年
5期
107-107,108
,共2页
晏学飞%邓江峡%郑辉%郑梁%秦会斌
晏學飛%鄧江峽%鄭輝%鄭樑%秦會斌
안학비%산강협%정휘%정량%진회빈
YIG%薄膜%退火条件
YIG%薄膜%退火條件
YIG%박막%퇴화조건
本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜，主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好，其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3，远大于YIG块材的Ms（139emu/cm3）。此外，其磁性与Fe2+相关。
本文採用射頻磁控濺射法在硅基片上沉積YIG薄膜，主要研究瞭退火條件對YIG薄膜性能的影響。研究結果錶明在750oC退火4小時製備的薄膜性能最好，其飽和磁化彊度可達到185.9emu/cm3，遠大于YIG塊材的Ms（139emu/cm3）。此外，其磁性與Fe2+相關。
본문채용사빈자공천사법재규기편상침적YIG박막，주요연구료퇴화조건대YIG박막성능적영향。연구결과표명재750oC퇴화4소시제비적박막성능최호，기포화자화강도가체도185.9emu/cm3，원대우YIG괴재적Ms（139emu/cm3）。차외，기자성여Fe2+상관。
