光学仪器
光學儀器
광학의기
OPTICAL INSTRUMENTS
2014年
4期
364-368,376
,共6页
PECVD%光学薄膜%均匀性
PECVD%光學薄膜%均勻性
PECVD%광학박막%균균성
PECVD%optical thin film%uniformity
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的光学薄膜,其均匀性受到多种工艺参数的影响,在这些参数中,一类是沉积过程的工艺参数;另一类则是设备结构参数,设备结构参数决定着反应腔室内气流分布、以及电场分布等.通过改变沉积过程的工艺参数和一组正交试验,分析各个工艺参数对均匀性的影响,从而改善氮化硅薄膜均匀性.
採用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)技術製備的光學薄膜,其均勻性受到多種工藝參數的影響,在這些參數中,一類是沉積過程的工藝參數;另一類則是設備結構參數,設備結構參數決定著反應腔室內氣流分佈、以及電場分佈等.通過改變沉積過程的工藝參數和一組正交試驗,分析各箇工藝參數對均勻性的影響,從而改善氮化硅薄膜均勻性.
채용등리자체증강화학기상침적(PECVD)기술제비적광학박막,기균균성수도다충공예삼수적영향,재저사삼수중,일류시침적과정적공예삼수;령일류칙시설비결구삼수,설비결구삼수결정착반응강실내기류분포、이급전장분포등.통과개변침적과정적공예삼수화일조정교시험,분석각개공예삼수대균균성적영향,종이개선담화규박막균균성.
