材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
6期
29-32
,共4页
白红艳%肖祥江%涂洁磊%赵沛坤%陈创业
白紅豔%肖祥江%塗潔磊%趙沛坤%陳創業
백홍염%초상강%도길뢰%조패곤%진창업
InAs量子点%GaInP应力补偿层%厚度%组分
InAs量子點%GaInP應力補償層%厚度%組分
InAs양자점%GaInP응력보상층%후도%조분
InAs quantum dots%GaInP strain compensation layer%thickness%concentration
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析.实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量:(1)面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;(2)缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子点的均匀性和尺寸也明显改善.此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1～3 nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好.
利用金屬有機化閤物氣相沉積(MOCVD)技術生長瞭雙層InAs/GaAs量子點,併將GaInP作為應力補償層引入到其中,採用原子力顯微鏡(AFM)對量子點的結構和生長質量進行瞭錶徵與分析.實驗結果錶明,應變補償層的採用可有效改善第二層量子點質量:(1)麵密度最高可達7.5×1010 cm-2,而沒有應變補償層的樣品的麵密度僅為5.8×1010 cm-2;(2)缺陷島密度可從不採用應變補償時的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子點的均勻性和呎吋也明顯改善.此外,不同應變補償層厚度比較實驗結果顯示,厚度過高或過低的應變補償層都不能起到很好的補償作用,取1～3 nm之間為佳;不同GaInP補償層組分的比較實驗結果錶明,Ga組分為0.566的樣品補償效果比0.606的樣品更好.
이용금속유궤화합물기상침적(MOCVD)기술생장료쌍층InAs/GaAs양자점,병장GaInP작위응력보상층인입도기중,채용원자력현미경(AFM)대양자점적결구화생장질량진행료표정여분석.실험결과표명,응변보상층적채용가유효개선제이층양자점질량:(1)면밀도최고가체7.5×1010 cm-2,이몰유응변보상층적양품적면밀도부위5.8×1010 cm-2;(2)결함도밀도가종불채용응변보상시적9.6×107 cm-2강저지2.8×107 cm-2;(3)양자점적균균성화척촌야명현개선.차외,불동응변보상층후도비교실험결과현시,후도과고혹과저적응변보상층도불능기도흔호적보상작용,취1～3 nm지간위가;불동GaInP보상층조분적비교실험결과표명,Ga조분위0.566적양품보상효과비0.606적양품경호.
