未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构
미둔화화H둔화GaN납미선적전자결구
Electronic Structures of Unsaturated and H Saturated GaN Nanowires
  • 万方数据
    计算物理 계산물리
    CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
    2013年 2期 277-284 ,共8页

    李恩玲%郗萌%崔真%程旭辉%徐锐%马德明%刘满仓%王雪文

    리은령%치맹%최진%정욱휘%서예%마덕명%류만창%왕설문

    纳米线%H钝化%电子结构%密度泛函理论 納米線%H鈍化%電子結構%密度汎函理論
    납미선%H둔화%전자결구%밀도범함이론
    用密度泛函理论研究直径为9.5(A),15.9(A)和22.5 (A),未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值；加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
    용밀도범함이론연구직경위9.5(A),15.9(A)화22.5 (A),미둔화화H둔화GaN납미선적능대화태밀도.결과표명:미둔화화H둔화GaN납미선적능극도시직접대극,미둔화GaN납미선적금대관도수착직경적증가감소,단시변화불명현,H둔화GaN납미선적금대관도수착직경증대야시감소적,단시감소적폭도비미둔화적대.미둔화GaN납미선표면N원자적2p전자주요취집재개대정,표면Ga원자적4p전자주요취집재도대저,저량충전자도구유흔강적국역성,이차결정착능극치；가H둔화가이소제표면원자산생적표면효응.
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