电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2014年
3期
71-73,76
,共4页
绝缘栅双极型晶体管%过应力%失效分析
絕緣柵雙極型晶體管%過應力%失效分析
절연책쌍겁형정체관%과응력%실효분석
insulated gate bipolar transistor%over stresses%failure analysis
简要介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构特点与寄生效应,分析了IGBT的过应力失效机理,并从失效现象与失效条件入手,描述了IGBT因过压、过流、过热及过机械应力等失效的典型特征,指出了失效机理与特征之间的对应关系,以便于使用者在实际应用中尽快找到IGBT的失效原因并合理地使用IGBT器件.
簡要介紹瞭絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的結構特點與寄生效應,分析瞭IGBT的過應力失效機理,併從失效現象與失效條件入手,描述瞭IGBT因過壓、過流、過熱及過機械應力等失效的典型特徵,指齣瞭失效機理與特徵之間的對應關繫,以便于使用者在實際應用中儘快找到IGBT的失效原因併閤理地使用IGBT器件.
간요개소료절연책쌍겁형정체관(IGBT)적결구특점여기생효응,분석료IGBT적과응력실효궤리,병종실효현상여실효조건입수,묘술료IGBT인과압、과류、과열급과궤계응력등실효적전형특정,지출료실효궤리여특정지간적대응관계,이편우사용자재실제응용중진쾌조도IGBT적실효원인병합리지사용IGBT기건.
