电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2014年
8期
11-14
,共4页
庞炳远%闫萍%索开南%董军恒%刘洪
龐炳遠%閆萍%索開南%董軍恆%劉洪
방병원%염평%색개남%동군항%류홍
直拉%区熔%硅单晶%电阻率
直拉%區鎔%硅單晶%電阻率
직랍%구용%규단정%전조솔
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm(2英寸)N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔工艺联合方式研制的低阻硅单晶具有电阻率控制准确、氧碳含量低、工艺易于实施等特点.同时,对直拉区熔联合法生长单晶的技术特点进行了探讨.
通過直拉工藝生長直徑60 mm的N型〈100〉單晶,之後以該單晶作為原料,採用區鎔工藝生長成50mm(2英吋)N型〈111〉單晶,單晶的電阻率為2.71～5.35Ω·cm,少子壽命為500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.實驗錶明,通過直拉工藝和區鎔工藝聯閤方式研製的低阻硅單晶具有電阻率控製準確、氧碳含量低、工藝易于實施等特點.同時,對直拉區鎔聯閤法生長單晶的技術特點進行瞭探討.
통과직랍공예생장직경60 mm적N형〈100〉단정,지후이해단정작위원료,채용구용공예생장성50mm(2영촌)N형〈111〉단정,단정적전조솔위2.71～5.35Ω·cm,소자수명위500～750 μs,양탄함량균저우1×16 cm-3.실험표명,통과직랍공예화구용공예연합방식연제적저조규단정구유전조솔공제준학、양탄함량저、공예역우실시등특점.동시,대직랍구용연합법생장단정적기술특점진행료탐토.
