电镀与涂饰
電鍍與塗飾
전도여도식
ELECTROPLATING & FINISHING
2014年
16期
698-700
,共3页
邓建%胡睿%张会%张照云%杨玉青
鄧建%鬍睿%張會%張照雲%楊玉青
산건%호예%장회%장조운%양옥청
多孔硅%盲孔%钯%电镀
多孔硅%盲孔%鈀%電鍍
다공규%맹공%파%전도
porous silicon%blind hole%palladium%electroplating
采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径7.7～7.8 μm,深度78 μm)多孔硅进行金属钯填充.镀液组成和工艺条件为:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50％(体积分数),pH 8～9,电压15V,电流1.5 mA,惰性气体搅拌,时间17h.采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况.结果表明,金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充,并在孔的外表面也有沉积.本工艺镀液组成简单,为制备三维硅基氚电池提供了技术基础.
採用電沉積法對自製大深徑比盲孔(直徑7.7～7.8 μm,深度78 μm)多孔硅進行金屬鈀填充.鍍液組成和工藝條件為:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50％(體積分數),pH 8～9,電壓15V,電流1.5 mA,惰性氣體攪拌,時間17h.採用掃描電鏡和能譜儀分析瞭鈀在多孔硅中的填充情況.結果錶明,金屬鈀在多孔硅盲孔中實現瞭滿載填充,併在孔的外錶麵也有沉積.本工藝鍍液組成簡單,為製備三維硅基氚電池提供瞭技術基礎.
채용전침적법대자제대심경비맹공(직경7.7～7.8 μm,심도78 μm)다공규진행금속파전충.도액조성화공예조건위:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,을순화수각50％(체적분수),pH 8～9,전압15V,전류1.5 mA,타성기체교반,시간17h.채용소묘전경화능보의분석료파재다공규중적전충정황.결과표명,금속파재다공규맹공중실현료만재전충,병재공적외표면야유침적.본공예도액조성간단,위제비삼유규기천전지제공료기술기출.
