电子科技
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전자과기
IT AGE
2014年
7期
89-92
,共4页
任泽宇%郭鹏程%王建超%罗丁利
任澤宇%郭鵬程%王建超%囉丁利
임택우%곽붕정%왕건초%라정리
非易失铁电存储器%防掉电%现场可编程门阵列
非易失鐵電存儲器%防掉電%現場可編程門陣列
비역실철전존저기%방도전%현장가편정문진렬
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据.为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能.文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能.
在複雜實驗條件下,需採用非易失性鐵電存儲器記錄重要數據.為防止二次上電時實驗數據被覆蓋,需設計防掉電功能.文中介紹瞭一種F-RAM的防掉電設計思路,併基于現場可編程門陣列實現,闆級驗證工作正常,併已在相關項目中得到應用且達到瞭預期功能.
재복잡실험조건하,수채용비역실성철전존저기기록중요수거.위방지이차상전시실험수거피복개,수설계방도전공능.문중개소료일충F-RAM적방도전설계사로,병기우현장가편정문진렬실현,판급험증공작정상,병이재상관항목중득도응용차체도료예기공능.
