沈阳化工大学学报
瀋暘化工大學學報
침양화공대학학보
JOURNAL OF SHENYANG INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY
2014年
2期
101-105
,共5页
黄志%陈永杰%陈琳%耿秀娟%杨英
黃誌%陳永傑%陳琳%耿秀娟%楊英
황지%진영걸%진림%경수연%양영
白光荧光粉%发光二极管%光色参数
白光熒光粉%髮光二極管%光色參數
백광형광분%발광이겁관%광색삼수
采用高温固相法制备不同含量gd3+敏化的白光荧光粉Ba1.3 Ca0 65-xSiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,xGd3+(x=0～6％).XRD结果表明:合成的荧光粉是六方晶系Ba1.3Ca0.7SiO4结构.荧光光谱测试表明:荧光粉在近紫外光275 ～410 nm具有较强吸收;且发射光谱由蓝绿光波带(425～560 nm)和橙红光波带(560 ～650 nm)组成.Gd3+的掺杂能够明显提高其发射强度,其中较佳Gd3+掺杂量为2％.Ba1.3Ca0.63SiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,0.02Gd3+荧光粉的色坐标CIE为(0.343 1,0.331 8),色温Tc=5 010 K,显色指数Ra=81.7,是一种适合于近紫外光芯片InGaN激发的WLED用全色荧光粉.
採用高溫固相法製備不同含量gd3+敏化的白光熒光粉Ba1.3 Ca0 65-xSiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,xGd3+(x=0～6％).XRD結果錶明:閤成的熒光粉是六方晶繫Ba1.3Ca0.7SiO4結構.熒光光譜測試錶明:熒光粉在近紫外光275 ～410 nm具有較彊吸收;且髮射光譜由藍綠光波帶(425～560 nm)和橙紅光波帶(560 ～650 nm)組成.Gd3+的摻雜能夠明顯提高其髮射彊度,其中較佳Gd3+摻雜量為2％.Ba1.3Ca0.63SiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,0.02Gd3+熒光粉的色坐標CIE為(0.343 1,0.331 8),色溫Tc=5 010 K,顯色指數Ra=81.7,是一種適閤于近紫外光芯片InGaN激髮的WLED用全色熒光粉.
채용고온고상법제비불동함량gd3+민화적백광형광분Ba1.3 Ca0 65-xSiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,xGd3+(x=0～6％).XRD결과표명:합성적형광분시륙방정계Ba1.3Ca0.7SiO4결구.형광광보측시표명:형광분재근자외광275 ～410 nm구유교강흡수;차발사광보유람록광파대(425～560 nm)화등홍광파대(560 ～650 nm)조성.Gd3+적참잡능구명현제고기발사강도,기중교가Gd3+참잡량위2％.Ba1.3Ca0.63SiO4∶0.02Eu2+,0.03Mn2,0.02Gd3+형광분적색좌표CIE위(0.343 1,0.331 8),색온Tc=5 010 K,현색지수Ra=81.7,시일충괄합우근자외광심편InGaN격발적WLED용전색형광분.
