InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器
InAs/InGaAs수자합금응변보상양자정격광기
InAs/InGaAs digital alloy strain-compensated quantum well lasers
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2014年 3期 213-217 ,共5页

    曹远迎%顾溢%张永刚%李耀耀%方祥%李爱珍%周立%李好斯白音

    조원영%고일%장영강%리요요%방상%리애진%주립%리호사백음

    数字合金%量子阱%分子束外延 數字閤金%量子阱%分子束外延
    수자합금%양자정%분자속외연
    digital alloy%quantum well%molecular beam epitaxy
    采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In0.53 Ga0.47As数字合金三角形势阱和张应变的In0.43Ga0.57As势垒构成.X射线衍射测试表明赝晶生长的量子阱结构具有很高的晶格质量.在100 K、130 mA连续波工作模式下,激光器的峰值波长达到1.94 μm,对应的阈值电流密度为2.58 kA/cm2.随着温度升高,激光器的激射光谱出现独特的蓝移现象,这是由于激光器结构中相对较高的内部吸收和弱的光学限制引起最大增益函数斜率降低所导致的.
    채용기태원분자속외연재InP츤저상생장InAs/InGaAs수자합금응변보상양자정격광기.유원구적다양자정결구유압응변적InAs/In0.53 Ga0.47As수자합금삼각형세정화장응변적In0.43Ga0.57As세루구성.X사선연사측시표명안정생장적양자정결구구유흔고적정격질량.재100 K、130 mA련속파공작모식하,격광기적봉치파장체도1.94 μm,대응적역치전류밀도위2.58 kA/cm2.수착온도승고,격광기적격사광보출현독특적람이현상,저시유우격광기결구중상대교고적내부흡수화약적광학한제인기최대증익함수사솔강저소도치적.
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