科技视界
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과기시계
Science&Technology Vision
2014年
4期
7-8
,共2页
刘若愚%许晓欣%刘洪涛
劉若愚%許曉訢%劉洪濤
류약우%허효흔%류홍도
RRAM%阻变存储器%电学特性
RRAM%阻變存儲器%電學特性
RRAM%조변존저기%전학특성
本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构，以1T1R为基本操作单元，针对阻变存储器的电学特性展开研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。
本文以Cu/HfOX/Pt作為RRAM的材料結構，以1T1R為基本操作單元，針對阻變存儲器的電學特性展開研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲勞特性以及保持特性的分析等。
본문이Cu/HfOX/Pt작위RRAM적재료결구，이1T1R위기본조작단원，침대조변존저기적전학특성전개연구，주요포괄전형적I-V특성、균일성、피로특성이급보지특성적분석등。
