电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2014年
4期
661-664
,共4页
戴宇晟%王国辉%关永%吴立锋%李晓娟
戴宇晟%王國輝%關永%吳立鋒%李曉娟
대우성%왕국휘%관영%오립봉%리효연
MOSFET%寄生电容%瞬态响应%软件仿真
MOSFET%寄生電容%瞬態響應%軟件倣真
MOSFET%기생전용%순태향응%연건방진
MOSFET%parasitic capacitance%transient response%software simulation
为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证.由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd.结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08％,而栅漏电容近似只有1.6％.栅源电容的劣化更大程度上影响瞬态响应,为MOSFET劣化提供了新的研究思路.
為解決功率MOSFET寄生電容劣化影響壽命的問題,在MOSFET非線性模型基礎上,深入分析MOSFET寄生電容參數和開關管瞬態響應信號之間的關繫,推導瞭各參數和瞬態響應之間的關繫錶達式,併用Saber倣真實驗進行驗證.由于柵極對MOSFET的性能影響至關重要,所以此次實驗分析瞭和柵極相關的柵源電容Cgs和柵漏電容Cgd.結果錶明,在寄生參數相同劣化程度時,柵源電容對瞬態響應的影響達到7.08％,而柵漏電容近似隻有1.6％.柵源電容的劣化更大程度上影響瞬態響應,為MOSFET劣化提供瞭新的研究思路.
위해결공솔MOSFET기생전용열화영향수명적문제,재MOSFET비선성모형기출상,심입분석MOSFET기생전용삼수화개관관순태향응신호지간적관계,추도료각삼수화순태향응지간적관계표체식,병용Saber방진실험진행험증.유우책겁대MOSFET적성능영향지관중요,소이차차실험분석료화책겁상관적책원전용Cgs화책루전용Cgd.결과표명,재기생삼수상동열화정도시,책원전용대순태향응적영향체도7.08％,이책루전용근사지유1.6％.책원전용적열화경대정도상영향순태향응,위MOSFET열화제공료신적연구사로.
