集成电路应用
集成電路應用
집성전로응용
APPL ICATIONS OF IC
2013年
11期
20-24
,共5页
沟槽%VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管)%栅氧化膜特性
溝槽%VDMOS(垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管)%柵氧化膜特性
구조%VDMOS(수직쌍확산금속-양화물반도체장효응정체관)%책양화막특성
本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究.对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特.
本文分析瞭溝槽柵功率器件中對柵氧化膜特性造成影響的主要工藝因素,報告瞭一種穫得高性能柵氧特性的方法,併且對柵氧化膜特性改善的機理進行瞭研究.對于厚度55nm的溝槽柵氧化膜,其正嚮偏置和反嚮偏置下的擊穿電壓都高于30伏特.
본문분석료구조책공솔기건중대책양화막특성조성영향적주요공예인소,보고료일충획득고성능책양특성적방법,병차대책양화막특성개선적궤리진행료연구.대우후도55nm적구조책양화막,기정향편치화반향편치하적격천전압도고우30복특.
