信阳师范学院学报（自然科学版）
信暘師範學院學報（自然科學版）
신양사범학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF XINYANG NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2014年
3期
413-416
,共4页
CMOS 混频器%电流注入%噪声抵消%高增益%低噪声
CMOS 混頻器%電流註入%譟聲牴消%高增益%低譟聲
CMOS 혼빈기%전류주입%조성저소%고증익%저조성
CMOS mixer%current bleeding%noise cancellation%high-gain%low-noise
基于TSMC 0．18μm CMOS工艺，设计了一种低噪声、高增益的混频器．通过在吉尔伯特单元中的跨导级处引入噪声抵消技术以降低混频器的噪声，并且在开关管的源级增加电流注入电路以减小本振端的偏置电流，增大电路的增益．仿真结果表明，混频器工作电压为1．8 V，直流电流为9．9 mA，在本振（ LO）频率为2．39 GHz，射频（RF）频率为2．4 GHz时，混频器的增益为12．65 dB，双边带噪声系数为4．23 dB，输入三阶交调点为-3．45 dBm．
基于TSMC 0．18μm CMOS工藝，設計瞭一種低譟聲、高增益的混頻器．通過在吉爾伯特單元中的跨導級處引入譟聲牴消技術以降低混頻器的譟聲，併且在開關管的源級增加電流註入電路以減小本振耑的偏置電流，增大電路的增益．倣真結果錶明，混頻器工作電壓為1．8 V，直流電流為9．9 mA，在本振（ LO）頻率為2．39 GHz，射頻（RF）頻率為2．4 GHz時，混頻器的增益為12．65 dB，雙邊帶譟聲繫數為4．23 dB，輸入三階交調點為-3．45 dBm．
기우TSMC 0．18μm CMOS공예，설계료일충저조성、고증익적혼빈기．통과재길이백특단원중적과도급처인입조성저소기술이강저혼빈기적조성，병차재개관관적원급증가전류주입전로이감소본진단적편치전류，증대전로적증익．방진결과표명，혼빈기공작전압위1．8 V，직류전류위9．9 mA，재본진（ LO）빈솔위2．39 GHz，사빈（RF）빈솔위2．4 GHz시，혼빈기적증익위12．65 dB，쌍변대조성계수위4．23 dB，수입삼계교조점위-3．45 dBm．
Based on TSMC 0.18μm CMOS technology, a low-noise and high-gain mixer was designed.The mixer has a Gilbert cell configuration that employs low-noise transconductors designed using noise-cancelling technique .The current-bleeding technique was also used so that a high-gain can be achieved .Simulation results indicated that the mix-er exhibits a conversion gain of 12.65 dB, a double-sideband noise figure of 4.23 dB, a third-order intermodulation in-tercept point of -3.45 dBm with a consumption of 9.9 mA at 1.8V when the local-oscillator ( LO) frequency is 2.39 GHz and the radio-frequency frequency is 2.4 GHz.
