材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
12期
132-134,140
,共4页
叶飞%许斐范%刘金美%谭毅
葉飛%許斐範%劉金美%譚毅
협비%허비범%류금미%담의
第一性原理%多晶硅%杂质%态密度%键合
第一性原理%多晶硅%雜質%態密度%鍵閤
제일성원리%다정규%잡질%태밀도%건합
first-principles%silicon%impurity%density%of%states%bonding
B和O是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质,它们经常以B-O原子对的形式存在.利用第一性原理计算方法,通过对比B-O对在真空、B2 O3和硅中的键合状态,理解Si环境对B-O键合特征的影响.计算结果表明,在这3种原子环境中,O原子的s和p轨道对键合的贡献都比B原子的s和p轨道大得多.其中,在真空中主要是O的2p轨道参与成键,而在氧化物和硅中O原子的2s轨道和2p轨道都参与成键.在硅中,由于B-O间距较大,以及与Si键合导致B-O键合电子态密度的降低,使B-O对在硅中的结合强度低于在氧化物和真空中.
B和O是太暘能級多晶硅中的主要非金屬雜質,它們經常以B-O原子對的形式存在.利用第一性原理計算方法,通過對比B-O對在真空、B2 O3和硅中的鍵閤狀態,理解Si環境對B-O鍵閤特徵的影響.計算結果錶明,在這3種原子環境中,O原子的s和p軌道對鍵閤的貢獻都比B原子的s和p軌道大得多.其中,在真空中主要是O的2p軌道參與成鍵,而在氧化物和硅中O原子的2s軌道和2p軌道都參與成鍵.在硅中,由于B-O間距較大,以及與Si鍵閤導緻B-O鍵閤電子態密度的降低,使B-O對在硅中的結閤彊度低于在氧化物和真空中.
B화O시태양능급다정규중적주요비금속잡질,타문경상이B-O원자대적형식존재.이용제일성원리계산방법,통과대비B-O대재진공、B2 O3화규중적건합상태,리해Si배경대B-O건합특정적영향.계산결과표명,재저3충원자배경중,O원자적s화p궤도대건합적공헌도비B원자적s화p궤도대득다.기중,재진공중주요시O적2p궤도삼여성건,이재양화물화규중O원자적2s궤도화2p궤도도삼여성건.재규중,유우B-O간거교대,이급여Si건합도치B-O건합전자태밀도적강저,사B-O대재규중적결합강도저우재양화물화진공중.
