材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
12期
34-37
,共4页
纳米线%均匀性%GaAs-AlGaAs%芯-壳结构%金属有机化学气相沉积
納米線%均勻性%GaAs-AlGaAs%芯-殼結構%金屬有機化學氣相沉積
납미선%균균성%GaAs-AlGaAs%심-각결구%금속유궤화학기상침적
nanowire%uniformity%GaAs-AlGaAs%core-shell%MOCVD
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相.采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响.在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14.
Ⅲ-Ⅴ族半導體納米線材料被認為是高速光電探測器最有前途的材料之一.採用金屬有機化學氣相沉積法在GaAs(111)B襯底上生長芯-殼結構/GaAs-AlGaAs納米線材料,GaAs芯材料的生長機製為氣相-液相-固相,而AlGaAs殼材料的生長機製為氣相-固相.採用場髮射掃描電子顯微鏡和微區光熒光譜儀等測試分析手段研究瞭AlGaAs殼材料橫嚮、軸嚮和生長方嚮的均勻性,探討瞭生長機製對均勻性的影響.在此基礎上穫得瞭組分均勻的高晶體質量的AlGaAs殼材料,其Al組分為0.14.
Ⅲ-Ⅴ족반도체납미선재료피인위시고속광전탐측기최유전도적재료지일.채용금속유궤화학기상침적법재GaAs(111)B츤저상생장심-각결구/GaAs-AlGaAs납미선재료,GaAs심재료적생장궤제위기상-액상-고상,이AlGaAs각재료적생장궤제위기상-고상.채용장발사소묘전자현미경화미구광형광보의등측시분석수단연구료AlGaAs각재료횡향、축향화생장방향적균균성,탐토료생장궤제대균균성적영향.재차기출상획득료조분균균적고정체질량적AlGaAs각재료,기Al조분위0.14.
