材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2014年
8期
9-12
,共4页
Mn4Si7%硅基外延%第一性原理%电子结构%光学性质
Mn4Si7%硅基外延%第一性原理%電子結構%光學性質
Mn4Si7%규기외연%제일성원리%전자결구%광학성질
Mn4Si7%silicon epitaxial%first-principles%electronic structure%optical properties
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对外廷关系Mn4Si7 (001)//Si(001),取向关系Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡体系下的电子结构和光学性质进行了理论计算,计算结果表明:当Mn4Si7晶格常数选取为a=b=0.5431 nm、c=1.747 nm时,Mn4Si7为带隙宽度为0.834 eV的直接带隙半导体.Mn4Si7费米面附近的价带主要由Mn的3d5态电子构成,导带主要由Mn的3d5态电子及Si的3p态电子构成.静态介电常数ε1(0)=14.48,折射率n0=3.8056.
基于第一性原理的密度汎函理論贗勢平麵波方法,對外廷關繫Mn4Si7 (001)//Si(001),取嚮關繫Mn4Si7[001]//Si[001]的Mn4Si7平衡體繫下的電子結構和光學性質進行瞭理論計算,計算結果錶明:噹Mn4Si7晶格常數選取為a=b=0.5431 nm、c=1.747 nm時,Mn4Si7為帶隙寬度為0.834 eV的直接帶隙半導體.Mn4Si7費米麵附近的價帶主要由Mn的3d5態電子構成,導帶主要由Mn的3d5態電子及Si的3p態電子構成.靜態介電常數ε1(0)=14.48,摺射率n0=3.8056.
기우제일성원리적밀도범함이론안세평면파방법,대외정관계Mn4Si7 (001)//Si(001),취향관계Mn4Si7[001]//Si[001]적Mn4Si7평형체계하적전자결구화광학성질진행료이론계산,계산결과표명:당Mn4Si7정격상수선취위a=b=0.5431 nm、c=1.747 nm시,Mn4Si7위대극관도위0.834 eV적직접대극반도체.Mn4Si7비미면부근적개대주요유Mn적3d5태전자구성,도대주요유Mn적3d5태전자급Si적3p태전자구성.정태개전상수ε1(0)=14.48,절사솔n0=3.8056.
