微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2008年
8期
216-220
,共5页
带隙参考电路(BGR)%共源共栅%电源抑制比(PSRR)%温度系数(TC)
帶隙參攷電路(BGR)%共源共柵%電源抑製比(PSRR)%溫度繫數(TC)
대극삼고전로(BGR)%공원공책%전원억제비(PSRR)%온도계수(TC)
介绍了一种高精度的CMOS带隙参考电路(BGR),它采用自偏置共源共栅电流镜,不需要运放.通过在传统共源共栅结构中加入一简单的反馈晶体管和几个电阻,分别构成了电源抑制和曲率补偿电路.用Spectre工具和0.35μmCMOS模型进行了仿真,结果表明电源抑制和温度特性均得到明显改善.直流时的电源抑制比(PSRR)为93dB,-40～+125℃温度范围内的温度系数为7ppm/℃.
介紹瞭一種高精度的CMOS帶隙參攷電路(BGR),它採用自偏置共源共柵電流鏡,不需要運放.通過在傳統共源共柵結構中加入一簡單的反饋晶體管和幾箇電阻,分彆構成瞭電源抑製和麯率補償電路.用Spectre工具和0.35μmCMOS模型進行瞭倣真,結果錶明電源抑製和溫度特性均得到明顯改善.直流時的電源抑製比(PSRR)為93dB,-40～+125℃溫度範圍內的溫度繫數為7ppm/℃.
개소료일충고정도적CMOS대극삼고전로(BGR),타채용자편치공원공책전류경,불수요운방.통과재전통공원공책결구중가입일간단적반궤정체관화궤개전조,분별구성료전원억제화곡솔보상전로.용Spectre공구화0.35μmCMOS모형진행료방진,결과표명전원억제화온도특성균득도명현개선.직류시적전원억제비(PSRR)위93dB,-40～+125℃온도범위내적온도계수위7ppm/℃.
