物理学报
物理學報
물이학보
2008年
7期
4492-4496
,共5页
王俊%王磊%董业民%邹欣%邵丽%李文军%杨华岳
王俊%王磊%董業民%鄒訢%邵麗%李文軍%楊華嶽
왕준%왕뢰%동업민%추흔%소려%리문군%양화악
高压器件%衬底电流%可靠性
高壓器件%襯底電流%可靠性
고압기건%츤저전류%가고성
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ih-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成凶与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发牛在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移Ⅸ电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.
利用0.15μm標準CMOS工藝製造齣瞭工作電壓為30 V的雙擴散漏耑MOS晶體管(double diffused drain MOS,DDDMOS).觀察到DDDMOS的襯底電流-柵壓麯線(Ih-Vg麯線)有兩箇峰.通過實驗和TCAD模擬揭示瞭DDDMOS襯底電流的形成機理,髮現襯底電流第一箇峰的成兇與傳統MOS器件相同;第二箇峰來自于髮牛在漂移區遠離溝道一側高場區的踫撞離化電流.通過求解泊鬆方程和電流連續性方程,分析瞭器件的物理和幾何參數對導緻襯底電流重新上升的漂移Ⅸ電場的影響.在分析瞭DDDMOS襯底電流的第二箇峰形成機理的基礎上,攷察瞭其對器件的可靠性的影響.
이용0.15μm표준CMOS공예제조출료공작전압위30 V적쌍확산루단MOS정체관(double diffused drain MOS,DDDMOS).관찰도DDDMOS적츤저전류-책압곡선(Ih-Vg곡선)유량개봉.통과실험화TCAD모의게시료DDDMOS츤저전류적형성궤리,발현츤저전류제일개봉적성흉여전통MOS기건상동;제이개봉래자우발우재표이구원리구도일측고장구적팽당리화전류.통과구해박송방정화전류련속성방정,분석료기건적물리화궤하삼수대도치츤저전류중신상승적표이Ⅸ전장적영향.재분석료DDDMOS츤저전류적제이개봉형성궤리적기출상,고찰료기대기건적가고성적영향.
