控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响
공제양화층대쌍세루납미규부책존저결구성능적영향
Effect of control oxide on the performance of nanocrystalline silicon based double-barrier floating gate memory structure
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2008年 7期 4482-4486 ,共5页

    丁宏林%刘奎%王祥%方忠慧%黄健%余林蔚%李伟%黄信凡%陈坤基

    정굉림%류규%왕상%방충혜%황건%여림위%리위%황신범%진곤기

    等离子体氧化%二氧化硅%纳米硅%控制氧化层 等離子體氧化%二氧化硅%納米硅%控製氧化層
    등리자체양화%이양화규%납미규%공제양화층
    在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非品硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2·eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.
    재등리자체증강화학기상침적(PECVD)계통중,이용축층정적비품규(a-Si)화등리자체양화상결합적방법제비이양화규(SiO2)개질층.전용전압(C-V)화전도전압(G-V)측량결과표명:이용해방법재저온(250℃)조건하제비적SiO2개질층균균치밀,기고정양화물전하화계면태밀도분별위9×1011cm-2화2×1011cm-2·eV-1,격천장강체4.6MV/cm,여열양화형성적SiO2개질층적성질상당.장해SiO2개질층작위공제양화층응용재쌍세루납미규(nc-Si)부책존저결구중,통과조절공제양화층적후도,유효조지책전겁여nc-Si지간적전하교환,연장존저시간,사존저성능득도명현개선.
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