物理学报
物理學報
물이학보
2008年
7期
4476-4481
,共6页
栾苏珍%刘红侠%贾仁需%蔡乃琼%王瑾
欒囌珍%劉紅俠%賈仁需%蔡迺瓊%王瑾
란소진%류홍협%가인수%채내경%왕근
高k栅介质%肖特基源漏(SBSD)%边缘感应势垒屏蔽(FIBS)%绝缘衬底上的硅(SOI)
高k柵介質%肖特基源漏(SBSD)%邊緣感應勢壘屏蔽(FIBS)%絕緣襯底上的硅(SOI)
고k책개질%초특기원루(SBSD)%변연감응세루병폐(FIBS)%절연츤저상적규(SOI)
研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也小相同.如果源漏与栅交叠,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆叠栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的.
研究瞭高k柵介質對肖特基源漏超薄體SOI MOSFET性能的影響.隨著柵介質介電常數增大,肖特基源漏(SBSD)SOI MOSFET的開態電流減小,這錶明邊緣感應勢壘降低效應(FIBL)併不是對勢壘產生影響的主要機理.源耑附近邊緣感應勢壘屏蔽效應(FIBS)是SBSD SOI MOSFET開態電流減小的主要原因.同時還髮現,源漏與柵是否對準,高k柵介質對器件性能的影響也小相同.如果源漏與柵交疊,高k柵介質與硅襯底之間加入過渡層可以有效地抑製FIBS效應.如果源漏偏離柵,採用高k側牆併結閤堆疊柵結構,可以提高驅動電流.分析結果錶明,來自柵極的電力線在介電常數不同的材料界麵髮生兩次摺射.根據結構參數的不同可以調節電力線的疏密,從而達到改變勢壘高度,調節驅動電流的目的.
연구료고k책개질대초특기원루초박체SOI MOSFET성능적영향.수착책개질개전상수증대,초특기원루(SBSD)SOI MOSFET적개태전류감소,저표명변연감응세루강저효응(FIBL)병불시대세루산생영향적주요궤리.원단부근변연감응세루병폐효응(FIBS)시SBSD SOI MOSFET개태전류감소적주요원인.동시환발현,원루여책시부대준,고k책개질대기건성능적영향야소상동.여과원루여책교첩,고k책개질여규츤저지간가입과도층가이유효지억제FIBS효응.여과원루편리책,채용고k측장병결합퇴첩책결구,가이제고구동전류.분석결과표명,래자책겁적전력선재개전상수불동적재료계면발생량차절사.근거결구삼수적불동가이조절전력선적소밀,종이체도개변세루고도,조절구동전류적목적.
