物理学报
物理學報
물이학보
2008年
7期
4456-4458
,共3页
贾仁需%张义门%张玉明%郭辉%栾苏珍
賈仁需%張義門%張玉明%郭輝%欒囌珍
가인수%장의문%장옥명%곽휘%란소진
绿带发光%4H-SiC同质外延%晶体缺陷
綠帶髮光%4H-SiC同質外延%晶體缺陷
록대발광%4H-SiC동질외연%정체결함
利用室温光致发光谱(PL)对CVD法生长的4H-SiC同质外延特性进行研究,发现有绿带发光(GL)特性.用扫描电子显微镜(SEM)、二次离子质谱(SIMS)和X射线光电了谱(XPS)技术获得了4H-SiC样品纵截面形貌和元素相对含量分布.结果表明,GL与4H-SiC晶体中碳空位(Vc)及络合体缺陷相关,Vc和缓冲层的扩展缺陷(点缺陷和刃位错等)是GL微观来源.GL的半峰宽(FWHM)反映了参与复合发光的Vc及其络合缺陷能级分散的程度.室温下获得的样品GL强度和光谱波长度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分布和晶体质量.
利用室溫光緻髮光譜(PL)對CVD法生長的4H-SiC同質外延特性進行研究,髮現有綠帶髮光(GL)特性.用掃描電子顯微鏡(SEM)、二次離子質譜(SIMS)和X射線光電瞭譜(XPS)技術穫得瞭4H-SiC樣品縱截麵形貌和元素相對含量分佈.結果錶明,GL與4H-SiC晶體中碳空位(Vc)及絡閤體缺陷相關,Vc和緩遲層的擴展缺陷(點缺陷和刃位錯等)是GL微觀來源.GL的半峰寬(FWHM)反映瞭參與複閤髮光的Vc及其絡閤缺陷能級分散的程度.室溫下穫得的樣品GL彊度和光譜波長度可用于分析4H-SiC外延中缺陷分佈和晶體質量.
이용실온광치발광보(PL)대CVD법생장적4H-SiC동질외연특성진행연구,발현유록대발광(GL)특성.용소묘전자현미경(SEM)、이차리자질보(SIMS)화X사선광전료보(XPS)기술획득료4H-SiC양품종절면형모화원소상대함량분포.결과표명,GL여4H-SiC정체중탄공위(Vc)급락합체결함상관,Vc화완충층적확전결함(점결함화인위착등)시GL미관래원.GL적반봉관(FWHM)반영료삼여복합발광적Vc급기락합결함능급분산적정도.실온하획득적양품GL강도화광보파장도가용우분석4H-SiC외연중결함분포화정체질량.
