真空共蒸发法制备CuxTe薄膜的结构特性分析
진공공증발법제비CuxTe박막적결구특성분석
Annealing Temperature and Microstructures of Vacuum Co-evaporated CuxTe Films
  • 万方数据
    真空科学与技术学报 진공과학여기술학보
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2008年 4期 360-364 ,共5页

    吴晓丽%夏庚培%郑家贵%李卫%冯良桓%武莉莉%张静全%黎兵%雷智

    오효려%하경배%정가귀%리위%풍량환%무리리%장정전%려병%뢰지

    CuxTe薄膜%真空共蒸发法%退火%结构 CuxTe薄膜%真空共蒸髮法%退火%結構
    CuxTe박막%진공공증발법%퇴화%결구
    用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响.结果发现:刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分低Cu/Te比的薄膜出现多晶结构;退火后,薄膜发生晶相转变,且随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变.其中,较低配比(x=1、1.44)的样品多晶转变较为明显,结晶度较高,说明较小x值的薄膜晶化温度较低,而高x值的薄膜晶化温度较高.用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CdS/CdTe小面积太阳电池.
    용진공공증발법제비료CuxTe(1≤x≤2)박막,병통과X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)급원자력현미경(AFM)등표정수단분석료박막적결구특성,연구료열처리대불동Cu/Te배비적양품물상전변적영향.결과발현:강침적적박막비정결구점주도지위,지유부분저Cu/Te비적박막출현다정결구;퇴화후,박막발생정상전변,차수착퇴화온도적승고,불동배비적양품유착불동정도적물상전변.기중,교저배비(x=1、1.44)적양품다정전변교위명현,결정도교고,설명교소x치적박막정화온도교저,이고x치적박막정화온도교고.용CuxTe박막작위배접촉층,획득료효솔위12.5%적CdS/CdTe소면적태양전지.
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